Anlık Bildirim

IBM liderliğindeki ortaklık 7nm fabrikasyon sürecini denemeye başladı

Yarı iletken dünyasında fabrikasyon süreçlerini mümkün olan en ileri seviyeye taşımak için büyük çaba gösteriliyor. Daha az yer kaplayan, daha fazla performans sunan ve daha az enerji tüketen yongalar için kapıyı aralayan üretim süreçlerinde 7nm seviyesine ulaşıldı.

IBM'in liderliğinde TSMC, GlobalFoundries ve Samsung gibi döküm ortaklarının üzerinde çalıştığı programda, dünyanın ilk çalışır haldeki 7nm sürecine sahip yongası elde edildi. 

Yeni yonga saf silikon yerine silikon-germanyum karışımı kullanan yapraklardan elde edilmiş ve teorik olarak 20 milyar transistör barındıran mikro işlemcilere kapı açılmış. Bu rakam günümüzdeki işlemcilerin neredeyse 4 katı. Karşılaştırmak gerekirse bir DNA dizisinin çapı 2.5nm civarında. 

Bir dönem yarı iletken dünyasının 20nm seviyesinden öteye geçemeyeceği ve iki yılda bir transistör sayısının ikiye katlanmasını ifade eden Moore Yasası'nın da rafa kalkacağı söyleniyordu. Ancak bugün gelinen noktada IBM ve ortakları umutları canlandırmış gibi görünüyor.

10nm sürecinin altına inebilmek için uzmanlar standart silikon maddesinin yerine farklı bir karışım kullanılması gerektiğini belirtiyordu. Görünen o ki IBM yeni çözümü ile bu sorunu da aşmış durumda. 

Gelecek yıl sonlarında TSMC, Intel, Samsung gibi firmaların 10nm litografisi ile üretime başlayacağı biliniyor. 2017 yılında ise 7nm sürecine geçişin başlaması öngörülüyor.  
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Önceki Haftalar
Tüm Zamanların En İyi Yorumcuları
ANLIK GÖRÜNTÜLEMELER
1 Kişi Okuyor (0 Üye, 1 Misafir) 1 Masaüstü

GENEL İSTATİSTİKLER
4425 kez okundu.
11 kişi, toplam 11 yorum yazdı.

HABERİN ETİKETLERİ
ibm
Sorgu:

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Sıcak Fırsatlar Forumunda Tıklananlar

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim