İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
Henüz bunları konuşmak için önümüzde belki yıllar var ancak yonga tasarımcıları şimdiden kendilerine yeni hedefler belirlemeye başladı. Intel'in 7nm fabrikasyon süreci için çalışmalar yaptığı haberinden sonra Samsung'dan daha iddialı bir açıklama geldi.
Samsung yaptığı açıklamada 5nm fabrikasyon sürecine kadar radikal bir zorluk ile karşılaşmayı beklemediklerini belirtti. Hatırlanacağı üzere silikon maddesinin 10nm ötesi için elverişli olmadığı ve Intel'in yeni bir yarıiletken madde arayışında olduğu dile getirilmişti. Görülüyor ki Samsung, ilerlemesini sağlayacak bir yarıiletken çoktan bulmuş durumda.
Samsung için asıl sorun 5nm sonrasında başlayacak. Firma 3.25nm üretim süreci için kullanılacak maddeler ve olasılıklar üzerinde çalışmalar yapıyor. Eğer herhangi bir aksaklık yaşanmazsa mobil işlemciler yanında DRAM ve NAND bellekler de bu gelişmelerden faydalanacak ve Samsung'un belki de en güçlü olduğu bir alan haline gelecek.
Samsung ayrıca yüzgeçli yapısıyla güç sızıntılarını azaltan ve enerji tasarrufunu artıran FinFET transistör teknolojisi üzerinde de yenilikler yapmaya hazırlanıyor. Bu sayede çok daha gelişmiş üretim şartları elde edilebilecek. Bunlar şu an için plan aşamasında ve bu yıl biz yüksek ihtimal 14nm sürecini konuşuyor olacağız.
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
1 Kişi Okuyor (0 Üye, 1 Misafir) 1 Masaüstü
GENEL İSTATİSTİKLER
3020 kez okundu.
12 kişi, toplam 12 yorum yazdı.
HABERİN ETİKETLERİ
Samsung