Anlık Bildirim

Samsung, 30nm fabrikasyon süreciyle hazırladığı 2Gb DDR3 bellek yongasının hacimli üretimine başlıyor

Oy Ver

Güney Kore merkezli elektronik devi Samsung, 30nm fabrikasyon süreciyle hazırladığı 2Gb Green DDR3 DRAM yongası için hacimli üretime başlıyor. İleri fabrikasyon süreci dayesinde 1.35v gerilimi ile 1866MHz'de, 1.5v geriliminde ise 2133MHz'de çalışan bellek yongasının, masaüstü, dizüstü, sunucu, netbook ve mobil cihazlarda kullanılabileceği açıklandı. Enerji verimli yapısı sayesinde bulut bilgi-işlem ve sanallaştırma uygulamaları için de ideal olduğu belirtilen yeni bellek yongasının yakında satışa sunulması bekleniyor.

Enerji verimli 2Gb DDR3 bellek yongasıyla birlikte Samsung, bu yılın sonuna doğru aynı fabrikasyon süreciyle 4Gb DDR3 yongası üretmeyi de planlıyor.

Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Sıcak Fırsatlar Forumunda Tıklananlar

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim