Anlık Bildirim

HBM4 öncesi büyük adım: SK hynix'ten altı katmanlı 1c DRAM geliyor

SK hynix, 1c DRAM üretiminde 6 EUV katmanına geçmeye hazırlanıyor. Yüksek verim ve performans sunacak bu adım, şirketi HBM4 pazarında güçlü bir konuma taşıyabilir.

HBM4 öncesi SK hynix’ten büyük adım: 6 katmanlı 1c DRAM geliyor Tam Boyutta Gör
SK hynix, yeni nesil 1c DRAM üretiminde önemli bir sıçrama yapmaya hazırlanıyor. DNet Korea'ya göreSK hynix, 1c DRAM için altı EUV katmanına geçmeye hazırlanıyor. Bu da hem DDR5 hem de HBM çözümlerinde yüksek verim, daha iyi performans ve artan kârlılık anlamıına geliyor. İşte detaylar...

1c DRAM'de yeni standart

Kaçıranlar için EUV litografi, 13,5 nm dalga boyunda çalışarak karmaşık devre yapılarında daha ince özelliklerin daha az çoklu desenleme adımıyla üretilmesine imkân tanıyor. Geleneksel DRAM üretiminde EUV ve DUV katmanları bir arada kullanılırken, SK hynix'in 1c DRAM'de tümüyle 6 EUV katmanına geçmesi sektörde yeni bir standart konumunda.

Şirket, 1c DRAM'i henüz tüketici tarafındaki bellek çözümlerinde kullanmasa da DDR5 için daha yüksek kapasite seçeneklerini araştırıyor. Ayrıca bu adım, gelecekteki 1d ve 0a DRAM teknolojilerinde EUV'nin temel bir bileşen hâline gelmesini sağlayacak. SK hynix, bu süreçte High-NA EUV entegrasyonu üzerine de çalışıyor.

Aslına bakacak olursak, EUV entegrasyonu sayesinde daha yoğun, hızlı ve enerji verimliliği yüksek DDR5 modüller ile yüksek kapasiteli HBM yığınlarının üretilmesi mümkün olacak. 1c DRAM'in HBM4 ile birlikte pazara güçlü bir giriş yapması beklenirken, performans tarafında da kayda değer bir artış yaşanabilir. Ayrıca bu hamle, özellikle Samsung’un 1c DRAM planlarına karşı rekabette önemli bir avantaj sunmuş olacak.

Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin: DH App Gallery Uygulamasını İndir DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Sıcak Fırsatlar Forumunda Tıklananlar

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim