Samsung 1c DRAM 2026'ya kaldı
Samsung'un yeni yol haritası kapsamında, HBM4 12-stack yapı için Üretime Hazırlık Onayı (Production Readiness Approval – PRA) sürecinin 2025'in son çeyreğinde tamamlanması planlanıyor. Ancak gecikmeye rağmen, Samsung’un yeniden tasarladığı 1c DRAM yongaları için %65 verim elde edildiği belirtiliyor.
Bu oran, küçük ölçekli üretim ortamında yakalanan bir değer olsa da, şirketin seri üretime geçişte hedeflediği başarıya ulaşmak için umut verici. Özellikle 1a ve 1b DRAM mimarilerinden türetilen yeni 1c tasarımı, hem performans hem de verimlilik açısından iyileştirmeler içeriyor ve iki farklı yaklaşım üzerine kurulmuş durumda.
Bunlardan ilki, mevcut 1a/1b mimarilerinin evrimsel geliştirmeleri üzerine kurulu bir 1c DRAM yapısıydı. Diğeriyse, hem 1b hem de 1c DRAM'in yeniden tasarlandığı daha radikal bir yöntemdi. Sonunda kazananın, tamamen yeni bir 1c tasarımı oldu. Ancak bu geniş kapsamlı yeniden yapılandırmanın ciddi maliyetler doğurduğu ve yonga başına üretim sayısını azalttığı da söylenenler arasında.
Endüstri kaynaklarına göre Samsung'un şu anki önceliği, test aşamasında ulaşılan %65’lik verimliliği seri üretim aşamasına da taşıyabilmek. Bunun için çeşitli testler devam ediyor ve 2025’in son çeyreğinde PRA onayı alındıktan sonra, 2026'da sınırlı hacimli üretim başlamış olacak.
Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin: