Intel’den HBM’e rakip hamle: “ZAM” bellek ilk kez gösterildi

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

Intel’den HBM’e rakip hamle: “ZAM” bellek ilk kez gösterildi — **Intel**, uzun yıllardır doğrudan yer almadığı bellek pazarında dikkat çekici bir adım attı. Şirket, **SoftBank** iştiraki **Saimemory** ile birlikte geliştirdiği **Z-Angle Memory** (ZAM veya Z-Açılı Bellek) teknolojisinin çalışan bir prototipini ilk kez kamuoyuna gösterdi. Japonya’da düzenlenen Intel Connection Japan 2026 etkinliğinde yapılan sunumda yeni mimarinin özellikle mevcut çözümlerdeki ısıl ve performans kısıtlarını aşmayı hedeflediği vurgulandı.

Z-Angle mimarisi neyi değiştiriyor?

Intel’in paylaştığı teknik bilgilere göre ZAM’in en ayırt edici yönü, klasik yüksek bant genişlikli bellek (HBM) tasarımlarından farklı olarak çapraz bağlantı topolojisi kullanması. Geleneksel yığın bellek tasarımlarında bağlantılar genellikle katmanlar arasında dikey olarak ilerlerken Z-Angle mimarisi bu bağlantıları yığın içinde çapraz şekilde yönlendiriyor. Zaten adı da tam olarak bu tasarım şeklinden geliyor.

Bu yaklaşımın temel amacı, hem veri iletim verimliliğini artırmak hem de ısı dağılımını iyileştirmek. Intel’e göre en büyük kazanım termal performansta sağlanan iyileşme olacak. Bilindiği üzere HBM gibi yığın halinde inşa edilen çözümlerde artan bant genişliği ve yoğunluk, ciddi ısıl yükler oluşturuyordu. Z-Angle tasarımının bu sorunu hafifletmesi hedefleniyor.

Potansiyel etkileyici

Eğer bu rakamlar doğrulanırsa ZAM, yalnızca enerji verimliliği açısından değil, aynı zamanda veri merkezi ve AI odaklı yüksek kapasiteli sistemlerde de önemli bir alternatif haline gelebilir.

Öte yandan Intel’in projedeki teknik ve operasyonel rolü henüz tüm ayrıntılarıyla netleşmiş değil. Ancak etkinlikte paylaşılan pazarlama materyallerine göre şirket, ilk yatırım ve stratejik karar süreçlerinden sorumlu konumda bulunuyor. Bu da Intel’in projeye yalnızca sembolik değil, yön verici bir katkı sunduğunu gösteriyor.