Anlık Bildirim

Japonya’dan bellek yarışına güçlü dönüş: ZAM teknolojisine devlet desteği

SoftBank ve Intel ortaklığında geliştirilen yeni nesil ZAM bellek teknolojisi, Japonya’dan devlet desteği aldı. HBM’e alternatif olan çözüm, daha düşük güç tüketimi ve yüksek performans vadediyor.

Japonya’dan bellek yarışında ZAM teknolojisine devlet desteği Tam Boyutta Gör
Yapay zeka çağında artan veri işleme ihtiyacı yarı iletken dünyasında dengeleri yeniden şekillendirirken Japonya, bu alanda yeniden söz sahibi olmak için kritik bir hamle yaptı. SoftBank iştiraki Saimemory’nin, Intel ile birlikte geliştirdiği yeni nesil bellek teknolojisi Z-Angle Memory (ZAM veya Z-Açılı Bellek), Japonya’nın devlet destekli Ar-Ge programına dahil edildi. Proje, Japonya teknoloji geliştirme kurumu NEDO tarafından seçilerek önemli ölçüde finansal destek almaya hak kazandı.

Daha verimli, daha serin, daha ölçeklenebilir

ZAM, temelde bir DRAM türü olarak konumlanıyor ancak mevcut yüksek bant genişlikli bellek (HBM) çözümlerinden mimari olarak ayrılıyor. Günümüzde yapay zeka sistemlerinde yaygın olarak kullanılan HBM, dikey olarak istiflenmiş bellek katmanlarının sıkı entegrasyonu sayesinde yüksek hız sunuyor. Ancak bu yaklaşım yüksek üretim maliyetleri, karmaşık paketleme süreçleri ve sınırlı tedarik zinciri gibi ciddi dezavantajlar barındırıyor.

ZAM ise bu yapıyı kökten değiştiriyor. Geleneksel katmanlı ve temaslı bağlantı yaklaşımı yerine, daha farklı bir uzamsal yerleşim ve “temassız” katmanlar arası bağlantı modeli kullanıyor. Bu sayede fiziksel kısıtlar azaltılarak özellikle ısı yönetiminde önemli avantajlar hedefleniyor.

Japonya’dan bellek yarışında ZAM teknolojisine devlet desteği Tam Boyutta Gör
Saimemory’ye göre bu yeni mimari, mevcut HBM çözümlerine kıyasla daha yüksek yoğunluk, daha geniş bant genişliği ve yaklaşık yüzde 40 daha düşük güç tüketimi sunma potansiyeline sahip. Z-Angle ara bağlantıları sayesinde daha sade bir üretim süreci mümkün olabilir. Ve ayrıca tek bir çipte 512 GB’a kadar kapasite sağlanabilir.

ZAM projesi, yalnızca iki şirketin iş birliği değil. Arka planında ABD destekli araştırmalar, Intel’in DRAM yığınlama ve bağlantı teknolojilerindeki çalışmaları ve SoftBank’ın yapay zeka altyapısına yönelik stratejik yatırımları bulunuyor.

SoftBank, 2024 yılında Saimemory’yi kurarak bellek üretiminde doğrudan rol almaya başladı. Intel projeye teknik ortak olarak katılırken Japon araştırma kurumu RIKEN ise sistem entegrasyonu ve performans doğrulama süreçlerinde görev alıyor. Ayrıca Fujitsu ve Japonya Kalkınma Bankası da projeyi destekleyen yapılar arasında yer alıyor.

Zorlu ama kritik yol haritası

Her ne kadar vaat edilen kazanımlar dikkat çekici olsa da ZAM henüz erken aşamada bir teknoloji. Şu anda prototip geliştirme süreci devam ediyor ve seri üretime geçiş için hedef tarih 2029 olarak belirlenmiş durumda.

NEDO destekli programın yaklaşık 3,5 yıl sürmesi planlanıyor. Saimemory, 2027 mali yılına kadar yaklaşık 8 milyar Japon yeni (yaklaşık 50 milyon dolar) yatırım yaparak çalışır prototipler geliştirmeyi amaçlıyor.

Ancak yarı iletken tarihinde pek çok “yeni nesil bellek” konseptinin laboratuvar aşamasını geçemediği biliniyor. Bu nedenle ZAM’in kaderini belirleyecek en kritik unsur, teorik avantajların üretim ölçeğinde hayata geçirilip geçirilemeyeceği olacak.

Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin: DH App Gallery Uygulamasını İndir DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim