1nm ve altı için hazırlık süreci
Yarı İletken Mühendisleri Enstitüsü, 2040 yılına kadar işlemcilerin 0.2 nanometre seviyesine inerek Angstrom (Å) çağına geçiş yapabileceğini açıkladı. Bilmeyenler için Angstrom, nanometrenin onda birine karşılık gelen bir uzunluk birimi. 0.2nm üretim süreci, transistor boyutlarının atomik ölçeğe yaklaşması anlamına geliyor.
Bugün en ileri üretim süreci olarak konumlanan Samsung'un 2nm GAA teknolojisi ise bu yolculukta bir başlangıç noktası konumunda. Samsung'un ikinci ve üçüncü nesil 2nm süreçleri üzerinde çalıştığı, 1nm seviyesine yönelik araştırmaların ise şimdiden başlatıldığı belirtiliyor. Ancak 1nm altına inilmesi, yalnızca litografi değil, malzeme dayanıklılığı, güç sızıntısı ve üretim verimi gibi alanlarda da ciddi sorunlar doğuruyor.
2000 katmanlı NAND hedefi
Yol haritası bellek tarafında da iddialı hedefler içeriyor. NAND flash belleklerde katman sayısının mevcut 300 seviyelerinden 2000 katmana çıkarılması planlanıyor. Bu artış, hem depolama kapasitesini hem de veri aktarım hızlarını doğrudan etkileyecek. DRAM tarafında ise hücre boyutlarının küçülmesi ve HBM belleklerde katman sayısının ciddi şekilde artırılması hedefleniyor.
Şu an için 0.2nm hedefi yalnızca daha küçük işlemciler anlamına gelmiyor. Sektör, transistor mimarisinden bellek tasarımına kadar birçok temel bileşeni yeniden tanımlamak zorunda kalacak. Dolayısıyla önümüzdeki 10-15 yıl, yarı iletken teknolojileri için bugüne kadarki en kritik geçiş dönemlerinden biri olabilir.
Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin: