İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
zHBM ile bellek işlemcinin üzerine taşınıyor
Bu tasarım sayesinde işlemci ile bellek arasındaki veri yolu önemli ölçüde kısalıyor. Samsung, yeni arayüz sisteminin HBM5'e kıyasla 8 kata kadar daha yüksek performans sağlayacağını belirtiyor. Ayrıca geliştirilen wafer bonding teknolojisi sayesinde bellek yoğunluğunun HBM5'in 10 katından fazla artırılabileceği, enerji verimliliğinin üç katına çıkacağı ve termal direncin yarıdan fazla azalacağı ifade ediliyor.
Yerel AI için zNAND-O geliştirildi
Ürünün sonundaki "O" harfi, On-device AI odaklı geliştirildiğini ifade ediyor. Samsung'a göre zNAND-O, küçük bir alanda daha yüksek depolama kapasitesi ve bant genişliği sunarken gecikme süresini de azaltıyor. Bu özellikleri sayesinde özellikle Edge AI ve cihaz üzerinde gerçek zamanlı büyük veri işleyen yapay zeka uygulamalarını hedefliyor.
400 katmanlı V10 BV-NAND tanıtıldı
HBM4E, HBM5 ve yeni SSD'ler de sahnedeydi
Samsung, etkinlikte mevcut ve gelecek nesil yapay zeka bellek ürünlerini de sergiledi. Şirket, HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763 ve BM1773 çözümlerini AI veri merkezleri ve yüksek performanslı bilgi işlem sistemleri için hazırladığı ürün ailesinin parçası olarak tanıttı.
Şubat ayında 1c sınıfı DRAM ve 4 nm taban yongası kullanan HBM4 üretimine başlayan Samsung, mayıs ayında ise HBM4E örneklerini müşterilerine göndermeye başlamıştı. Etkinlikte ayrıca Heat Path Block (HPB) adı verilen yeni ısı yönetim teknolojisini kullanan HBM5 modeli de gösterildi.
Samsung'un tüm bu yeni duyuruları yapay zekanın giderek artan depolama ihtiyacıyla aynı döneme denk geliyor. Büyük dil modellerinin eğitiminin yanı sıra, günlük kullanımda sorgulara yanıt üreten çıkarım süreçlerinin yaygınlaşması, yüksek kapasiteli ve enerji verimli NAND çözümlerine olan talebi hızla artırıyor.
Şirket geçen hafta yaptığı açıklamada, uzun vadeli müşteri anlaşmalarının gelecekte bellek satışlarının yüzde 60 ila 70'ini oluşturabileceğini belirtmişti. Piyasada akıllı telefon talebine ilişkin soru işaretleri bulunsa da analistler, hem DRAM hem de NAND tedarik zincirindeki stok seviyelerinin tarihsel ortalamaların altında kaldığını ve yapay zeka kaynaklı talebin güçlü seyrini sürdürdüğünü ifade ediyor.
Kaynakça https://news.samsung.com/global/samsung-unveils-next-gen-3d-memory-vision-at-fms-2026-charting-the-future-of-ai-infrastructure https://www.reuters.com/world/asia-pacific/samsung-electronics-launches-next-generation-ai-memory-technology-2026-08-04/ Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin:
