Samsung, Exynos 2700 ile tasarımı değiştiriyor: Daha serin çalışacak

Exynos 2700 hakkında yeni bilgiler ortaya çıktı. Samsung, yeni nesil işlemcisinde bellek tasarımını değiştirerek daha düşük sıcaklık ve daha yüksek sürdürülebilir performans hedefliyor.

Bellek ve işlemci artık ayrı olacak

İlkcan Girgin

Donanım ve Teknoloji Editörü

Samsung, Exynos 2700'de Apple'ın izinden gidiyor! — Samsung'un 2027 yılında tanıtması beklenen **Exynos 2700 işlemcisiyle** ilgili yeni detaylar ortaya çıktı. Sızıntıya göre şirket, yeni nesil yonga setinde yalnızca üretim teknolojisini değil, **paketleme tasarımını da değiştirerek ısınma sorununu** önemli ölçüde azaltmayı hedefliyor.

Bellek ve işlemci artık ayrı olacak

İddialara göre Exynos 2700, önceki nesillerden farklı olarak DRAM belleği işlemci paketinin içine yerleştirmeyecek. Bunun yerine bellek modülü yongadan ayrı konumlandırılacak. Bu tasarım sayesinde işlemci ile bellek arasındaki ısı transferi azaltılarak termal performansın iyileştirilmesi amaçlanıyor.

Exynos 2600'de LPDDR5X bellek modülü işlemciye oldukça yakın konumlandırılmıştı. Samsung ayrıca Heat Pass Block (HPB) adı verilen özel bir ısı dağıtım katmanı kullanarak sıcaklıkları kontrol altında tutmaya çalışmıştı. Exynos 2700'de ise Apple'ın A20 Pro işlemcisinde kullanması beklenen Side-by-Side (SbS) mimarisine benzer bir paketleme tasarımına geçileceği sızdırıldı.

Yeni tasarımın, HPB soğutma sistemiyle birlikte çalışarak ısıyı daha verimli dağıtacağı belirtiliyor. Ayrıca Galaxy S27 serisinin bazı modellerinde kullanılacağı iddia edilen geniş buhar odası (vapor chamber) soğutma sistemi de bu yapıyı destekleyecek.

Sektördeki sızıntılara göre Qualcomm'un Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro modeli de Heat Pass Block teknolojisini kullanacak. Ancak Samsung'un uygulamasının daha gelişmiş olacağı söyleniyor. Şimdilik tüm bilgiler sızıntılara dayanıyor. Ancak iddiaların doğru çıkması halinde Exynos 2700, yalnızca ham performansıyla değil, uzun süre yüksek performansı koruyabilen daha serin çalışan yapısıyla da öne çıkabilir.