NEO Semiconductor Haberleri

NEO Semiconductor’ın geliştirdiği 3D X-DRAM, 10 kat daha yüksek yoğunluk ve düşük enerji tüketimiyle yapay zeka odaklı bellek teknolojilerinde yeni bir dönemin kapısını aralıyor.

NEO Semiconductor, 3D X-DRAM teknolojisi için yeni bir duyuru yaptı. Yeni 3D X-DRAM modülleri, mevcut bellekleri 10’a katlayarak 512 Gb (64 GB) kapasite vadediyor.

Mevcut HBM belleklerinin yerini alması ve veri yolu darboğazını çözmesi beklenen 3D X-AI çipi NEO Semiconductor tarafından duyuruldu. Yeni çip 100 kat performans artışı vadediyor.

San Jose merkezli NEO Semiconductor 3D X-DRAM teknolojisi duyurdu. Yeni DRAM teknolojisi, "DRAM'in kapasite darboğazını çözme ve 2D DRAM pazarının yerini alma" gibi iddialı bir amaca sahip.