Uygulama ile Aç

SK hynix, telefonlarda bellek kaynaklı ısı sorunlarını 3,5 kat azaltıyor

SK hynix, akıllı telefonlarda aşırı ısınmayı önleyen ve performans kaybını azaltan yeni mobil DRAM’ini piyasaya sürdü. Yeni çipler, termal iletkenliği 3,5 kat artırıyor.

Akıllı telefonlar için DRAM ve bellek üreticileri cihaz üzerindeki yapay zeka uygulamalarını destekleyecek daha hızlı ve verimli çipler geliştirmek için yoğun şekilde çalışıyor. Mevcut teknolojiler ise yoğun kullanımda yaşanan performans düşüşleri nedeniyle sınırlamalarla karşılaşıyor. Bu alanda teknoloji açısından Samsung’u geride bırakan SK hynix, akıllı telefonlarda aşırı ısınmayı engellemeyi hedefleyen yeni bir mobil DRAM çözümünü piyasaya sürdüğünü açıkladı.

Telefonlardaki ısınmaya yeni çözüm

Şirket, yeni bellek çiplerinin termal iletkenliğinin yüzde 350 oranında iyileştiğini belirtiyor. SK hynix’in yeni mobil DRAM’inde kullanılan malzeme, “High-K Epoxy Molding Compound” olarak adlandırılıyor. Bu malzeme, özellikle ısı kaynağının dikey yönündeki dirençte yüzde 47’lik bir iyileşme sağlıyor.

Ayrıca bkz.

SK hynix, 321 katmanlı QLC NAND seri üretimine başladı

Bazı akıllı telefonlarda mobil DRAM, doğrudan yonga seti kalıbının üzerine yerleştiriliyor. Yoğun iş yüklerinde açığa çıkan fazla ısı, performansın düşmesine neden olabiliyor. Üreticilerin bu tasarımı tercih etmesinin nedeni ise hem alan tasarrufu sağlamak hem de DRAM ile işlemci arasındaki veri aktarımını hızlandırmak.

Yeni malzeme sayesinde SK hynix’e göre, bu DRAM çipleriyle donatılmış akıllı telefonlar hem daha uzun pil ömrü sunacak hem de performans kayıplarını minimize edecek.



Haberi DH'de Gör Yorumlar ve Diğer Detaylar
Whatsapp ile Paylaş