Günümüz bellek kapasitelerini 10’a katlayan 3D X-DRAM bellek

San Jose merkezli NEO Semiconductor, DRAM alanındaki mevcut sınırları zorlayacak yeni nesil bellek hücrelerini tanıttı. Şirketin duyurduğu yeni 3D X-DRAM hücre tasarımları olan 1T1C (bir transistör, bir kapasitör) ve 3T0C (üç transistör, sıfır kapasitör), geleneksel DRAM modüllerine kıyasla 10 kat daha yüksek kapasite sunmayı vadediyor. Firma bu bellekleri yaklaşık iki yıl önce duyurmuştu.

Yüksek kapasite, yüksek hız ve yüksek verim

NEO Semiconductor’ın simülasyon verilerine göre yeni nesil hücreler, tek bir modülde 512 Gb yani 64 GB kapasiteye ulaşabiliyor. Bu, piyasada yaygın olarak kullanılan DRAM çözümlerinin çok üzerinde bir değer. Ayrıca, 10 nanosaniye okuma/yazma hızı ve 9 dakikayı aşan veri tutma süresiyle performans konusunda da oldukça iddialı.

Yeni tasarımlar, ekran teknolojilerinde sıkça karşılaşılan bir kristal yapı olan indiyum galyum çinko oksit (IGZO) tabanlı. Bu malzeme sayesinde hücreler, 3D NAND flash belleklerdeki gibi üst üste yığılabilir bir mimaride üretilebiliyor. Bu yaklaşım hem kapasiteyi artırıyor hem de enerji verimliliğini koruyor. NEO, bu tasarımı mevcut 3D NAND üretim altyapısına adapte ederek, büyük sermaye yatırımı olmadan üretime geçilebileceğini belirtiyor.

Ayrıca bkz.

Seagate, 2030’a kadar 100 terabaytlık hard disk geliştirecek

Yeni 3D X-DRAM tasarımları, bu ay düzenlenecek olan IEEE IMWetkinliğinde daha kapsamlı şekilde tanıtılacak. Ancak sektörde yalnızca NEO yok. FeRAM tabanlı DRAM+ gibi alternatif teknolojiler de yarışa dahil olurken, SK hynix gibi köklü üreticiler klasik DRAM’in sınırlarını genişletmeye devam ediyor. Yine de 512 Gb'lik modüller, dikkatleri NEO Semiconductor’ın üzerine çekiyor.

Gözler şimdi NEO’nun 2026 yılında üretilecek olan test yongalarında. Şirketin yol haritasına göre 3D X-DRAM ile 2030 yılına kadar 1Tb (1 terabit) entegre devrelere ulaşılacak. 1Tb entegre devreler, tek bir RAM’de rahatlıkla 2 TB kapasiteleri mümkün kılıyor.

Haberi DH'de Gör Yorumlar ve Diğer Detaylar

Günümüz bellek kapasitelerini 10’a katlayan 3D X-DRAM bellek

NEO Semiconductor, 3D X-DRAM teknolojisi için yeni bir duyuru yaptı. Yeni 3D X-DRAM modülleri, mevcut bellekleri 10’a katlayarak 512 Gb (64 GB) kapasite vadediyor.

Yüksek kapasite, yüksek hız ve yüksek verim

Seagate, 2030’a kadar 100 terabaytlık hard disk geliştirecek

Beğenilen Yorumlar