2nm GAA transistörler başarıyla üretildi
Rapidus tarafından yapılan açıklamada, gate-all-around (GAA) mimarisine sahip 2nm test yongalarının üretildiği ve bu örneklerin beklenen elektriksel performans değerlerine ulaştığı belirtildi. Bu gelişme, hem kullanılan üretim araçlarının doğru çalıştığını hem de Rapidus’un 2nm süreciyle ilgili Ar-Ge çalışmalarının yolunda gittiğini gösteriyor.
Test üretimi, transistörlerin eşik voltajı, iletim akımı, sızıntı akımı, geçiş eğimi gibi temel elektriksel parametrelerinin ölçülmesini içeriyor. Bu veriler, teknolojinin performans hedeflerine ulaşıp ulaşmadığını görmek açısından büyük önem taşıyor. Rapidus, bu sonuçları kamuoyuyla paylaşmasa da üretim hattında test yongalarının dolaşıyor olması bile sürecin başarıyla ilerlediğini gösteriyor.
Rapidus’un IIM-1 fabrikasının inşası Eylül 2023’te başlamıştı. Temiz oda 2024 yılında tamamlandı ve Haziran 2025 itibarıyla 200’den fazla üretim aracı, DUV ve EUV litografi sistemleri dahil olmak üzere devreye alındı. İleri düzey EUV araçları Aralık 2024’te kuruldu ve Nisan 2025’e kadar başarılı şekilde kullanılarak ilk kalıplar oluşturuldu.
Her adımda hassas kontrol
Ancak Rapidus, bu yaklaşımı tüm üretim adımları için uygulayarak her plakada maksimum hassasiyet ve kontrol sağlamayı hedefliyor. Böylece gerçek zamanlı hata tespiti, parametre optimizasyonu ve veri tabanlı üretim iyileştirmeleri mümkün hale geliyor.
Tabii bu sistemin dezavantajları da var. Plakalar tek tek işlendiği için üretim süresi uzayabiliyor ve maliyetler artabiliyor. Ayrıca gereken ekipmanlar daha karmaşık ve pahalı. Ancak Rapidus, uzun vadede düşük hata oranı, yüksek verim ve esnek üretim kabiliyeti sayesinde bu yöntemin 2nm ve sonrasındaki teknolojilerde avantaj sağlayacağına inanıyor.
Bu arada Rapidus, müşterilerine destek olmak amacıyla ilk süreç geliştirme kiti (PDK) versiyonunu 2026’nın ilk çeyreğinde sunmayı planlıyor.
Haberi DH'de Gör