PCIe NVMe SSD seviyesinde performans
238 katmana sahip önceki nesille karşılaştırıldığında, bu yeni depolama yongaları %15 daha yüksek rastgele okuma ve %40 daha yüksek rastgele yazma hızlarına sahip. Sıralı okumalar performansı ise 4,3 GB/sn'e kadar çıkabiliyor. Öyle ki, bu performans PCIe NVMe Gen 3 SSD'leri dahi aşabiliyor.
Güney Koreli üretici, performansı arttırken NAND paketini de incelterek 1 mm'den 0,85 mm kalınlığa düşürmeyi başarmış. Ayrıca önceki nesle göre güç tüketimini %7 azaltmış.
SK Hynix, sıralı okuma hızının cihaz içi yapay zeka performansını artıracağını ve iyileştirilmiş rastgele performansın çoklu görevlerde avantaj sağlayacağını belirtiyor.
Şirket, depolama birimini 512 GB ve 1 TB olmak üzere iki kapasitede üretecek. Dolayısıyla yeni çip üst seviye telefonlarda kendine yer bulacak. SK Hynix, bu yıl akıllı telefon üreticilerinden sipariş almayı ve gelecek yılın başında sevkiyatlara başlamayı planlıyor.
Haberi DH'de Gör
{{body}}
{{/longBody}} {{^longBody}}{{body}}
{{/longBody}}