Anlık Bildirim

SK hynix, akıllı telefonlar için 321 katmanlı UFS 4.1 depolamasını duyurdu

SK hynix, akıllı telefonlar için dünyanın ilk 321 katmanlı UFS 4.1 TLC NAND flaşını duyurdu. SSD seviyesinde peformans sunan belleğin özellikleri neler?         

SK hynix, telefonlar için 321 katmanlı UFS 4.1 belleğini duyurdu Tam Boyutta Gör
SK hynix, akıllı telefonlar için dünyanın ilk 321 katmanlı UFS 4.1 TLC NAND flaşını duyurdu. Şirket, yeni NAND çiplerinin önceki nesilden %15 daha ince olduğunu ve düşük güçte sınıfının en iyi sıralı okuma performansını sunduğunu söylüyor.

PCIe NVMe SSD seviyesinde performans

238 katmana sahip önceki nesille karşılaştırıldığında, bu yeni depolama yongaları %15 daha yüksek rastgele okuma ve %40 daha yüksek rastgele yazma hızlarına sahip. Sıralı okumalar performansı ise 4,3 GB/sn'e kadar çıkabiliyor. Öyle ki, bu performans PCIe NVMe Gen 3 SSD'leri dahi aşabiliyor.

Güney Koreli üretici, performansı arttırken NAND paketini de incelterek 1 mm'den 0,85 mm kalınlığa düşürmeyi başarmış. Ayrıca önceki nesle göre güç tüketimini %7 azaltmış.

SK Hynix, sıralı okuma hızının cihaz içi yapay zeka performansını artıracağını ve iyileştirilmiş rastgele performansın çoklu görevlerde avantaj sağlayacağını belirtiyor.

Şirket, depolama birimini 512 GB ve 1 TB olmak üzere iki kapasitede üretecek. Dolayısıyla yeni çip üst seviye telefonlarda kendine yer bulacak. SK Hynix, bu yıl akıllı telefon üreticilerinden sipariş almayı ve gelecek yılın başında sevkiyatlara başlamayı planlıyor.

Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin: DH App Gallery Uygulamasını İndir DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu: 0,61 saniye

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Sıcak Fırsatlar Forumunda Tıklananlar

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim