Yarıiletken dünyasına yön veren isimlerden Hynix, dünyanın ilk 2Gb mobil DRAM yongasını ürettiğini açıkladı. 54nm üretim teknolojisiyle hazırlanan 2Gb'lık yeni yonganın hem SDRAM hem de DDRAM tasarımlarında kullanılabileceğinin altı çizilirken güç tüketiminin 1.2v seviyesinde olduğu, hızının ise 400Mbps olarak belirlendiği ifade ediliyor. Yüksek yoğunluklu bellek çözümlerinin hazırlanmasına olanak tanıyacağı belirtilen yeni yonganın JEDEC standartlarıyla uyumlu olduğu ve önümzdeki yılın ilk yarısı içerisinde hacimli üretime gireceği bildiriliyor.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
Haber için teşekkürler.