Anlık Bildirim

Hynix dünyanın ilk 2Gb mobil DRAM yongasını ürettiğini açıkladı

Hynix dünyanın ilk 2Gb mobil DRAM yongasını ürettiğini açıkladı

Yarıiletken dünyasına yön veren isimlerden Hynix, dünyanın ilk 2Gb mobil DRAM yongasını ürettiğini açıkladı. 54nm üretim teknolojisiyle hazırlanan 2Gb'lık yeni yonganın hem SDRAM hem de DDRAM tasarımlarında kullanılabileceğinin altı çizilirken güç tüketiminin 1.2v seviyesinde olduğu, hızının ise 400Mbps olarak belirlendiği ifade ediliyor. Yüksek yoğunluklu bellek çözümlerinin hazırlanmasına olanak tanıyacağı belirtilen yeni yonganın JEDEC standartlarıyla uyumlu olduğu ve önümzdeki yılın ilk yarısı içerisinde hacimli üretime gireceği bildiriliyor.

Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim