Huawei, 3nm çip üretimine hazırlanıyor!

Çip üretimi için SMIC ile çalışıyor

2020 yılına kadar çiplerini Tayvanlı TSMC'ye ürettiren Huawei, ABD tarafından Varlık Listesi'ne alınınca ABD teknolojilerini kullanan tedarikçilerle iş yapması yasaklandı. Bir süre sıkıntıya giren ve elindeki çip stoklarıyla idare eden Çinli dev, daha sonra vatandaşı SMIC tarafından 7nm süreciyle üretlien Kirin 9000S yongasıyla geri döndü.

Bu ayın başında şirket, 5nm süreciyle geliştirilen Kirin X90 yongasını içeren HarmonyOS işletim sistemli ilk bilgisayarını duyurdu. Bazı analizler, Huawei’nin bu yongayı seri üretmek için SMIC’in N+2 (7nm) süreci ve JCET’in (Jiangsu Changjiang Electronics Technology) 4nm paketleme teknolojisini kullandığını belirtiyor. Ancak gerçek üretim teknolojisinin aslında 7nm seviyesinde olduğu söyleniyor. Performans artışı ise esasen çiplet tasarımı ve gelişmiş paketleme teknolojileri sayesinde sağlanıyor.

SMIC'in en ileri üretim süreci olan 7nm'nin verim oranının sadece %50 civarında olduğu belirtiliyor. Çinli şirket, en gelişmiş çip üretim ekipmanı olan EUV (Aşırı Ultraviyole) makinelerine erişemediği için 5nm'yi DUV (Derin Ultraviyole) litografi makineleriyle çoklu pozlama yöntemiyle elde etmeye çalışıyor. Bu da düşük verimin önemli nedenlerinden biri.

EUV litografiye bağımlılığı aşmaya çalışıyor

Huawei’nin 5nm teknoloji yol haritası, tamamen EUV litografi makinelerine bağımlılığını aşmaya odaklanıyor. Şirket, Shanghai Micro Electronics tarafından geliştirilen SSA800 serisi stepper tarama litografi makineleri ile çoklu pozlama yoluyla 5nm çizgi genişliğine ulaşıyor. Aşındırma (etching) makinelerinde ise Naura Technology’nin 5nm aşındırma ekipmanları kullanılıyor. Bu ekipmanlar atomik düzeyde hassasiyet sunuyor ve uluslararası seviyelere kıyasla %15 daha yüksek aşındırma hızına sahip olduğu iddia ediliyor.

Ölçüm ekipmanlarında ise, Northern Microelectronics’in elektron demetli ölçüm sistemleri sayesinde nanometre düzeyinde kusur tespitinde yerli çözümler devreye alındı. Özetle, Huawei’nin 5nm atılımı Çin’deki yarı iletken ekipman, malzeme ve tasarım araçları gibi tüm sektör zincirinin gelişimini tetiklemiş durumda.

3nm yongalar üzerinde çalışmalar başladı

Huawei'nin içerisindeki kaynaklara göre, şirket şimdiden 3nm yonga geliştirme çalışmalarını başlattı. Burada GAA (Gate-All-Around) transistör teknolojisi ve iki boyutlu malzemeler kullanılacak. Şirket, deneme üretimine 2026 yılında başlamayı hedefliyor. Aynı zamanda, şirketin karbon nanotüp tabanlı 3nm karbon bazlı yongası da laboratuvar doğrulamasını geçmiş durumda ve SMIC tesislerinde üretim hattına uyarlama çalışmaları sürüyor.

Huawei'nin EUV ekipmanları olmadan 3nm'de yüksek verime nasıl ulaşacağı soru işaret olsa da, şirketin bu yöndeki çalışmaları ve hırsı takdir edilmeyi hakediyor.