LG, yarı iletken pazarına giriş yapıyor
Kaçıranlar için hibrit bağlantı, geleneksel termal sıkıştırmalı lehimleme yöntemlerinin yerini alabilecek yeni nesil bir teknik olarak biliniyor. Bu yöntemde lehim küreleri yerine, yonga yüzeyinde bulunan bakır pedler nano ölçekte düzleştiriliyor ve oda sıcaklığında doğrudan elektriksel temas sağlanıyor. Bu da daha ince yığın yapıları, daha düşük sıcaklıkta çalışma ve daha yüksek elektriksel performans anlamına geliyor.
Mevcut termal sıkıştırma yöntemleriyle HBM bellekte sekiz kata kadar istifleme mümkünken, bu sayı 12 katı geçtiğinde lehim adımı bozulmaya başlıyor. Bu noktada hibrit bağlantı teknolojisi, özellikle 2026 sonrasında beklenen HBM4 ve HBM4E modelleri için kritik önem taşıyor.
LG'nin 2028 hedefi tutarsa, ilk müşterileri arasında SK Hynix'in HBM4E genişleme süreciyle paralel ilerlemesi bekleniyor. Aynı dönemde Samsung'un HBM4 risk hattı devreye girebilir.
Haberi DH'de Gör