- 1.2 Gate (Kapı) oxide; endüstrideki en ince boyut - yüksek performanslı transistörlerin üretilebilmesi
- Strained (Gerilmiş) Silikon ile üretim; endüstride ilk defa - transistörlerin çok daha yüksek hızlarda çalıştırılması
- 7 katmanlı bakır ara bağlantılar; mantık kapılarının yoğunluğunun arttırılması
- Yeni Low-k (Düşük-k) dielektrik; çip içi iletişimin hızlandırılması
- 1 mm2 SRAM hücre boyutu; endüstrinin en küçüğü - daha yüksek performans ve daha fazla özellik ekleyebilme
- 300mm silikon wafer boyutu; kapasite arttırımı ve maliyetlerde ciddi düşüşler
Intel 90 nm boyutunda üretim yapabilmek için 248 nm ve 193 nm dalga boyunda litografi tekniğini kullanıyor. Firma ayrıca bugün kullandığı method olan 300mm 130nm üretimindeki cihazların yaklaşık %75'ini 90nm üretiminde kullanmayı planlıyor ve bu da oldukça yüksek oranda teknoloji geçişinde yaşananan maliyetler de düşüş sağlayacak. Bu yeni teknoloji ile üretilmiş ilk işlemcinin 2003'ün ikinci yarısında çıkacak olan "Prescott" olması bekleniyor. Henüz başta AMD olmak üzere pek çok rakibi 130 mikron teknolojisine yeni yeni geçmeye çalışırken, Intel'in önemli bir adım atarak 90 nm üretim tekniğine geçişi başlatması oldukça önemli bir avantaj sağlayacak.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:

