Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir indirim kodu
    Anlık Bildirim

    Samsung endüstride ilk defa 30nm DDR3 yongası geliştirdi

    Oy Ver

    Dünyanın en büyük yarıiletken üreticilerinden Samsung, endüstride ilk defa 30nm üretim teknolojisiyle geliştirdiği DDR3 bellek yongasını duyurdu. 40nm üretim teknolojisiyle hazırlanan DRAM yongalarına göre üretim verimliliği %60 arttırılan yeni yeni DRAM yongasının 2Gb yoğunluğunda olduğu ve üretim maliyetlerine yönelik verimliliğin 50nm ve 60nm çözümlere göre iki kat arttırıldığı belirtiliyor.

    50nm DRAM yongalarıyla kıyaslandığında güç tüketiminin %30'a varan oranda düşürüldüğü belirtilen yeni DRAM yongasının taşınabilir cihazlardan netbook'lara hatta masaüstü bilgisayarlardan sunucu sistemlere kadar kategori bağımsız olarak geliştirilenecek tüm bellek modüllerinde kullanılabileceği belirtiliyor. Hacimli üretimi yılın ikinci yarısında başlayacak 30nm DRAM yongası için henüz herhangi bir maliyet bilgisi bulunmuyor.



    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    Sorgu:
    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim