Önde gelen bellek üreticilerinden Güney Kore merkezli Hynix, 40nm üretim teknolojisiyle hazırlanan DRAM yongalarını kullandığı DDR3 belleklerin, Intel onay programını geçtiğini belirtti. Yeni nesil üretim teknolojisiyle hazırlanan 2GB DDR3 DRAM yongasının kullanıldığı 4GB DDR3 SO-DIMM ve 2GB DDR3 UDIMM bellek modüllerinin 1.5v gerilimiyle 1333MHz'de çalıştığı bildirildi.
Hynix açıklamasında 40nm üretim teknolojisiyle hazırlanan 2Gb DRAM yongalarının, 50nm üretim teknolojisiyle hazırlanan benzer yongalara göre %40 daha az güç tükettiği ve %60 daha fazla verimlilik sağladığına dikkat çekti. Özellikle yüksek performanslı sunucular için geliştirilen yeni belleklerle Hynix düşük güç tüketimi, verimlilik ve performans noktasında iddialı olmayı hedefliyor.
Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin:


Bize de tebrik etmek düşer.Bravo
Bu ne 2001 de f16 üretiyoduk şimdi f35 modernizasyonu için abd onayını bekliyorlar, nerden nereye
20 sene önce yerli ve milli tüfek bile üretemeyen ülkeden bugün dünyanın konuştuğu savunma sanayi projelerini gerçekleştiren ülkeye. Hamdolsun.