Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir indirim kodu
    Anlık Bildirim

    Samsung 2022’de 3 nm’ye geçiyor

    Yarıiletken pazarında pastada geniş dilime sahip oyunculardan Samsung üretim tekniği konusunda da iddialı.
    1

    Teknoloji devi Samsung NAND ve DRAM üretiminin yanı sıra yarı iletken konusunda da iddialı. Firma 7 nm’yi konuştuğumuz şu günlerde 3 nm için tarih verdi.

    Geçtiğimiz aylarda GAAFET teknolojisini duyuran firma bugün yaptığı duyuruyla GAAFET türü olan MCBFET tekniğini kullanacağı 3 nm sürecini detaylandırdı. Transistörlerin üst üste dizildiği GAAFET düşük nm’lerde voltaj sızmasını önlemesi nedeniyle transistör kanalları üzerinde daha etkili kontrol imkanı sunuyor.

    %30 performans artışı

    Yarıiletken üreticisi MCBFET’le birlikte bu artıların üzerine güç tüketiminde %50’luk iyileşme ve %30 performans artışı da eklemiş. Ek olarak MCBFET’in tasarımsal avantajı sayesinde aynı yonga %45 daha az alan kaplayacak.

    Kıyaslamada kullanılan üretim nodu belirtilmese de Samsung’un kendi 7 nm FinFET’inden söz ediyor olmamız olası. Son olarak yeni üretim yöntemi üreticilerin yonganın düşük güç tüketimi ya da performans odaklı olması doğrultusunda özelleştirmesini kolaylaştırdığı da sıralanan avantajlar arasında.



    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    Sorgu:
    Önceki ve Sonraki İçerikler
    Daha Yeniler Daha Eskiler
    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim