Anlık Bildirim

Samsung 2022’de 3 nm’ye geçiyor

Yarıiletken pazarında pastada geniş dilime sahip oyunculardan Samsung üretim tekniği konusunda da iddialı.
1

Samsung 2022’de 3 nm’ye geçiyor Tam Boyutta Gör

Teknoloji devi Samsung NAND ve DRAM üretiminin yanı sıra yarı iletken konusunda da iddialı. Firma 7 nm’yi konuştuğumuz şu günlerde 3 nm için tarih verdi.

Geçtiğimiz aylarda GAAFET teknolojisini duyuran firma bugün yaptığı duyuruyla GAAFET türü olan MCBFET tekniğini kullanacağı 3 nm sürecini detaylandırdı. Transistörlerin üst üste dizildiği GAAFET düşük nm’lerde voltaj sızmasını önlemesi nedeniyle transistör kanalları üzerinde daha etkili kontrol imkanı sunuyor.

%30 performans artışı

Yarıiletken üreticisi MCBFET’le birlikte bu artıların üzerine güç tüketiminde %50’luk iyileşme ve %30 performans artışı da eklemiş. Ek olarak MCBFET’in tasarımsal avantajı sayesinde aynı yonga %45 daha az alan kaplayacak.

Samsung 2022’de 3 nm’ye geçiyor Tam Boyutta Gör

Kıyaslamada kullanılan üretim nodu belirtilmese de Samsung’un kendi 7 nm FinFET’inden söz ediyor olmamız olası. Son olarak yeni üretim yöntemi üreticilerin yonganın düşük güç tüketimi ya da performans odaklı olması doğrultusunda özelleştirmesini kolaylaştırdığı da sıralanan avantajlar arasında.

Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Sıcak Fırsatlar Forumunda Tıklananlar

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim