Intel'in akıllı telefon ve tablet işlemcileri segmentinde iddialı olabilmek adına uzun süredir çalışmalar yürüttüğü Medfield platformu fuarda ilk modeline kavuşurken piyasaya çıkış tarihini de belli oldu.
İlginizi Çekebilir
OnePlus 9 ve 9 Pro'nun temel özellikleri ortaya çıktı
Intel, CES 2012 fuarında Medfield platformunu ilk olarak Lenovo K800 modeli üzerinde ziyaretçilerin beğenisine sundu.
4.5 inçlik 1280 x 720 piksel çözünürlüğe sahip Lenovo K800, 1.6 GHz hızında Intel Medfield işlemcisi kullanıyor. ISO 3200 değerine sahip çift LED flaşlı 8MP kamera, Android 4.0 işletim sistemi, Bluetooth 3.0, GPS, WiFi modelin sunduğu diğer özellikler.
Fuarda sergilenen cihaz Android Market içermediği için benchmark yazılımlarını denemek mümkün olmuyor. Ancak Intel SunSpider testinden 1971 puan elde ettiğini belirtiyor.
K800 modeli ilk olarak 2012 yılı ikinci çeyreğinde Çin'de piyasaya çıkacak. Modeli ve Intel'in Medfield platformunu ilk Çinli teknoloji severler deneme fırsatını yakalayacak. Modelin sonraki stratejisi hakkında henüz bir bilgi yok.
Yorum Yaz Paylaş Tweetle Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
Kraaz
2 saat önce
Ortadaki boşluğa pil koysalarmış, 130 km menzil, 330 km menzil olacak. Şekil yapacam diye alan ısrafı olmuş.
U
unununium
1 gün önce
Motor ucubeye benziyor futuristik tasarım yapacağım diye daha da kötü yapmışlar
32nm Analog CMOS ile Digital Devreyi dünyada ilk defa bir arada kullanabilmiş bi çip diyecektik, sonra diagramramlara bakınca hiç de öyle gözükmüyor.
Yeni üretim teknolojisi veya çekirdek hızı artımı ile A9 tabanlı üst seviye işlemciler baya performans kazanıcaklar, medfield salt performans açısından geride kalıcak.
22nm nin veya 3D transistör olayının Atomlara gelmesinden bahsederseniz, oraya gelinmesinde rahatça en az 2 sene var. Atomlar hep en arkadan gelir, ilk 32nm Atom bu. 2-2.5 ghz aralığındaki A9lar büyük ihtimalle ddaha performanslı olacak.
Diğer taraftan SuVoltanın DDC teknolojisi var (deeply depleted channel transistor). 65nm teknoloji, 3D transistöre göre neredeyse tamamen planar VE SRAM üstünde demosu yapılmış durumda (0.425V). SRAM cell işin en meşakatli kısmı, eğer bununla yapılabiliyorsa diğer kısımlar içinde yapılabilir demek, zor mor ama yapılablir. Intelin pahalı 22nm 3D transistörüne göre çok çok çok büyük bi avantaj demek bu.
Sonuç olarak güç tüketim değerleri biraz abartı düşük geldi bana. Gerçekten öyle ise ne ala. Önceki test ve referans değerleri inanılmaz yüksekti çünkü.