
Dünyanın en büyük yarıiletken üreticilerinden biri olan Samsung, 20nm üretim teknolojisiyle NAND Flash bellek yongası geliştirdiğini açıkladı. SD kartlar ve gömülü uygulamalar için hazırlanan yeni yongaların, MLC (Multi Level Cell) formunda olduğu ve 30nm üretim teknolojisiyle hazırlanan mevcut çözümlere göre %50 daha yüksek verimlilik sundukları bildirildi.
Yeni yongalar sayesinde 10MB/saniye hızında yazabilen SD bellek kartlarının hazırlanabileceği belirtilirken, örneklendirmesi başlayan ilk yonganın 32Gb olduğu açıklandı. Hacimli üretimine yıl sonuna doğru başlanması beklenen 20nm NAND flash bellek yongalarının 4GB ile 64GB arasında farklı kapasite seçenekleri sunmaları bekleniyor.
Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin:


bedava bitcoin kazandıran site https://limercoin.com/?ref=u34nghdc
Bize de tebrik etmek düşer.Bravo
20 sene önce yerli ve milli tüfek bile üretemeyen ülkeden bugün dünyanın konuştuğu savunma sanayi projelerini gerçekleştiren ülkeye. Hamdolsun.