Anlık Bildirim

Samsung, sektörün ilk 9. Nesil QLC V-NAND belleğinde seri üretime başladı

Samsung, yapay zeka için bellek üretiminde gazı açıyor. Firma, sektörün ilk TLC 9. nesil V-NAND belleklerinde üretimi sürdürürken şimdi de sektörün ilk QLC 9. Nesil V-NAND üretimine başladı.
Samsung, sektörün ilk 9. Nesil QLC V-NAND seri üretimine başladı Tam Boyutta Gör
Samsung Electronics, gelişmiş bellek teknolojilerindeki liderliğini pekiştirmeye devam ediyor. Firma 1 terabit (Tb) kapasiteli dört seviyeli hücre (Quad-level cell, QLC) 9. nesil V-NAND belleklerin seri üretimine başladığını duyurdu. Bu hamle, özellikle yapay zeka uygulamaları için optimize edilmiş yüksek kapasiteli ve yüksek performanslı bellek çözümleri sunmayı hedefliyor.

9. nesil QLC V-NAND yapay zeka için önemli

Samsung, geçtiğimiz nisan ayında üç seviyeli hücre (Triple-level cell, TLC) 9. nesil V-NAND’in üretimine başlamasının ardından sadece dört ay sonra, QLC versiyonunun seri üretimine geçmeyi başardı. Samsung, QLC V-NAND sayesinde yapay zeka için gelişmiş SSD çözümleri sağlayacak. Firma, kurumsal SSD pazarının yapay zeka sayesinde hızla büyüdüğünü belirtiyor.

Samsung, sektörün ilk 9. Nesil QLC V-NAND seri üretimine başladı Tam Boyutta Gör
Samsung’un 9. nesil QLC V-NAND’i, bir dizi yenilikçi teknoloji ile donatılmış durumda. Bu yeni nesil belleklerin en dikkat çekici özelliklerinden biri, sektörün en yüksek katman sayısına sahip çift yığın yapısının kullanılması. Samsung’un özel Channel Hole Etching teknolojisi sayesinde, hücre alanları ve çevresel devreler optimize edilerek önceki nesle kıyasla yüzde 86 oranında daha yüksek bit yoğunluğu elde edilmiş durumda.

Ayrıca, Designed Mold teknolojisi ile hücrelerin çalışma hatları arasındaki mesafeler ayarlanarak, katmanlar arası tutarlılığın sağlandığı belirtiliyor. Bu sayede Samsung, veri saklama performansını yüzde 20 oranında iyileştirmeyi ve dolayısıyla güvenilirliği artırdığını söylüyor. Son olarak Samsung’un Predictive Program teknolojisi ise hücre durumu değişikliklerini önceden tahmin ederek gereksiz işlemleri en aza indiriyor. Bu yenilik, yazma performansını iki katına çıkarırken, veri giriş/çıkış hızını yüzde 60 oranında artırıyor. Ayrıca, Düşük Güç Tasarımı (Low-Power Design) sayesinde veri okuma ve yazma sırasında enerji tüketimi sırasıyla yüzde 30 ve yüzde 50 oranında azaltıldığı belirtiliyor.

Samsung, QLC 9. nesil V-NAND’i tüketici ürünleri, mobil cihazlar, bilgisayarlar ve bulut hizmeti sağlayıcılarına yönelik sunucular gibi çeşitli alanlarda kullanmayı planlıyor.

Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim