Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir indirim kodu
    Anlık Bildirim
    Oy Ver
     
    Hafıza ürünleri piyasasının devlerinden Micron 1z nm üretim bantlarından çıkacak DDR4 ve LPDDR4X yongalarını duyurdu. Yeni DRAM çözümleri yüksek performans sunarken düşük güç tüketiyor. Ayrıca kapasiteden de taviz verilmemiş.

    3. nesil 10 nm sınıfı olarak da geçen 1z nm üretim nodu sayesinde DRAM yongaları %10 daha az güç tüketecek. 16 Gb kapasiteli yongalar ayrıca artan yoğunlukları sayesinde üretim maliyetlerini düşürürken kapasite artışını da beraberinde getirecek. Öyle ki Micron’a göre 16 Gb’lik tek bir küme 2 adet 8 Gb kapasiteli yongadan %40 daha az güç tüketiyor.

    Her ne kadar yeni DDR4 tip DRAM’lerin hızları açıklanmasa da JEDEC standartları dahilinde değerler görmemiz olası. İlk örnekler 32 GB kapasiteli RAM’lerde karşımıza çıkacağa benziyor. Son olarak Micron yeni çözümüyle iş istasyonları, masaüstü bilgisayarlar ve dizüstüleri hedef alıyor.

    LPDDR4X tarafında ise yeni modüller 4266 MT/s aktarım hızına sahip. Yeni akıllı telefonlara 16 GB LPDDR4X DRAM sunmanın yanı sıra çoklu yonga içeren UFS tabanlı hafıza kümeleri de üretilecek.

    uMCP4 

    uMCP4 modülleri NAND Flash birimiyle DRAM yongasını aynı modül altında birleştirecek. İlerleyen günlerde orta segment cihazları hedef alan 64 GB+3 GB ve 256 GB+8 GB (NAND+DRAM) şeklinde konfigürasyonlarda kümelerin piyasaya sürülmesi bekleniyor.


    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    Sorgu:
    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim