Giriş
DH ile Giriş
Üye değil misiniz? Yeni Hesap Oluştur Sosyal Ağ ile Bağlan
Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Döşeme Stili Ana Akış
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu

    TSMC 5 nm yongaların üretimine başladı, %15 performans getirisi var

    Yarıiletken üreticisi TSMC 5 nm üretim sürecinin ilk ürünlerini üretmeye başladı. Performans ve verimlilik artışını da beraberinde getiren yeni nodun detayları haberimizde.
    6 ay (Son Güncelleme: 6 ay)
    5,5b
    1
    26
    İşlemci
    Yazar
    Dünyanın en büyük bağımsız yarı iletken üreticisi yol haritasında geçtiğimiz yıl yer verdiği üzere 5 nm bantlarından ilk örnekleri çıkarmaya başladı. Yeni litografı sayesinde yongalarda performans artışının yanı sıra güç tüketiminde de iyileştirmeler görülecek.

    %15 performans artışı sağlayacak 

    TSMC, şu an için işlemcilerden daha çok IoT ve 5G uygulamalarında yer alacak yeni üretim tekniğinin işlem dizayn kitinin üretime hazır olduğunu duyurdu. Ayrıca ilk denemelerin de başladığı bilgisini paylaşan Santa Clara merkezli firma yeni nod sayesinde Cortex A72 çekirdeğinde %15 performans artışı elde edileceğine de yer verdi. Diğer yandan 5 nm tekniği sayesinde 7 nm DUV bantlarına kıyasla 1.8 kat yoğunluk artışı yaşanacak.
    Diğer taraftan 7 nm süreci de artık iyice olgunlaşmış durumda. Üretim kapasitesini arttıran TSMC’nin arzının çoğu mobil pazara gidecek. Ek olarak EUV tekniğiyle hacimli üretime geçilecek 7 nm bantlarının hacimli üretimine ise bu ay sonunda başlanmış olunacak. Son olarak yılın ikinci yarısında ilk siparişlerinin gönderimine başlayacak olan TSMC yeni iPhone’ların yongalarının üretimine başlaması ise 3. Çeyreği bulacak.

    https://wccftech.com/tsmc-5nm-production-euv/ Yorum Yaz
    En Beğenilen Yorumlar Yorum Yaz
    melikulupinar 6 ay en beğenilen
    Pratik olarak (maliyeti ne olur orası ayrı) 2 nm kalınlığa kadar (7 silisyum atomu kalınlığı) inilmesi mümkün görünüyor. Hatta bazı çevrelerde 1.6 nm değerine (5 silisyum atom kalınlığı-son sınır) kadar inmek de mümkün görünüyor. Silisyum kristalindeki atomların kovalent çapı 222 pikometre. (0,222 nanometre) Bu durumda 7 atom 1,55 nanometre, 5 atom 1,11 nanometre yapıyor. Yani teoride 1,1-1,2 nm civarına inmek mümkün gözükse de pratikte mümkün değil.

    Zira saf silisyum yalıtkan bir madde.Bunu yarı iletken hale getirmek için silikon kristaline katkı atomları ekleniyor, yani saf silisyum kristali valans değeri yüksek veya düşük (N veya P tipi yarıiletken) atomlar ile kirletiliyor. Silisyum son yörüngesinde 4 elektrona sahip (4/8) olduğundan diğer silisyumlar ile 4 kovalent bağ kuruyor ve boşta/fazla valans elektronu kalmadığından yalıtkan oluyor. N tipi için genelde son yörüngesinde (5/8 elektron) olan atomlar kullanılıyor ve 1 elektron bağlanmadan kalıyor. Bu açık elektron sanki fazla elektron (tümsek) varmış gibi davranıyor ve N tipi deniyor. P tipi için ise son yörüngesinde (3/8 elektron) olan atomlar kullanılıyor ve bir bağ açıkta kalıyor. Sanki 1 elektron eksikmiş gibi P tipi (oyuk) deniliyor. (Fosfor, bor, arsenik vb)

    Silisyum ile katkı atomlarının kovalent çapları farklı olduğundan kristal yapısı düzgün olmuyor. (kristal kafes hücreleri şişiyor veya büzüşüyor katkı atomunun kovalent çapına göre). Bu ise direnç-saçılma vb sorunlara yol açıyor. Kristali düzgün yapmak için gerdirme teknikleri kullanılıyor, yani kristaldeki en büyük kovalent çapa göre hizalanmaya çalışılıyor. (Örneğin FD-SOI dediğimiz üretim tekniğindeki SOI tanımı silicon on isolator demektir ve bir gerdirme tekniğini ifade eder) Gerdirme sonucunda kristal biraz büyüyor ve ara boşluklarla birlikte yukarıdaki 7/5 nm için olan 1,55/1,11 nm değerleri de 2/1.6 nm değerlerine ulaşıyor.

    Nm değeri çok küçülünce tabii ki bazı sorunlar baş gösteriyor. Kuantum tünellemesi, electromigration, saçılma gibi atomik davranış bozulmalarının yanı sıra hizalama, çapaklanma, kirlilik gibi üretim sorunları da ciddi sıkıntı yaratmaya başlıyor.

    Kuantum tünellemesi : İletkende gitmesi gereken elektronun iletkenler arası yalıtkanı kuantum tünelleme etkisi ile geçerek başka iletkene atlaması sonucu sinyalin bozulmasına neden olmasıdır. Tünelleme aslında oldukça yavaş bir hızdadır ama kalınlıklar artık 5-7 atom seviyelerine indiğinde ciddi sorun olmaktadır. Üstelik yeri ve zamanı belli olan bir olgu da değildir, önceden tahmin edilemeyen bir rastlantısallık içerir. Quantum olgusu çok durumluluk ve olasılık içerdiğinden tespiti ve testi imkansıza yakındır. Bir gün düzgün çalışan işlemci (olasılık gerçekleşmedi) öbür gün sapıtabilir, başta düzgün çalışıp sonra yamulabilir.

    Electromigration : Bir iletkendeki atomların akan elektronların çarpması (direnç faktörlerinden) sonucu yer değiştirmesidir. Bu yer değiştirme sonucu incelip iletkenliği azalabilir veya tamamen kopabilir. Veya taşınan atomlar bir yere yığılıp tümsek-çapak oluşturabilir ve yakın iletken hatlarla kısa devre yapabilir. (veya aralık azaldıkça tünelleme etkisi de artar) Isı ve voltaj da bu etkiyi artırır. Voltaj arttıkça akan elektronunda enerjisi artacağından çarpma etkisi de artar. Yine ısı da kristalin bağlarını zayıflattığından (metaller kristaldir ve böyle erirler mesela) atomlar daha kolay koparılabilir yerinden. Electro migration ilerleyince çip ölür.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Resimde electromigation sonucu hem kopma noktasına gelen, hem de tümsek-çapak oluşturup yan hatla kısa devre yapıp ölen çip örnekleri görüyoruz. Günümüz 55-60 atom kalınlığında (yaklaşık 12 nm) iletken yollarda 20-25 atomun kemirilmesi veya yığılması bile sorun yaratmayabilir. Ama 5-7 atom söz konusu oluna 2-3 atomluk bir taşınma bile çok ciddi hasar demektir.

    Saçılma : İletkenlerdeki direnç dediğimiz olgunun sonucudur. Direnci belirleyen ilk faktör valans elektronunun ne kadar zor/kolay koparılabildiğidir. En iyi iletkenler son yörüngesinde 1 valans elektronu içeren ve bu nedenle kolay koparılabilen gümüş, altın, bakır gibi metallerdir. İkinci faktör ısıdır. Isınan iletkenlerin direnci artar. (yarıiletkenler tam tersi) Isı özünde bir titreşim olduğundan daha fazla titreşen atomlar akan elektronlarla daha fazla çarpışırlar. (akan elektron atomun çekirdeğine değil elektronuna çarpar) Üçüncü etken ise iletkenin kesiti-kalınlığıdır. Ortaokulda bile öğretiyorlar.

    Bu aslında trafik gibidir. Çok sayıda elektronun (aracın) aktığı yol daraldıkça tıkanma-çarpışma oranı da artacaktır. İşlemcilerde transistörler arasında iletim için bakır hatlar kullanılıyor. Elektronlar bakırda aslında otoyoldaki araçlar gibi AKMIYORLAR. İlerleme şekline SÜRÜKLENME deniyor. Şöyle diyelim; rüzgara karşı topa vurup 20 metre ileri atıyorsunuz, rüzgar 10 m geri getiriyor, sonra yine 20-10 diye ilerliyorsunuz. Çarpan elektronlar da sekiyor ve elektrik alanı onları tekrar ileri gönderiyor, bir top gibi. Elektronun bakırdaki sürüklenme hızı 1570 Km/saniye. (bu durumda en uzak iki nokta arası mesafe 1 cm olan bir çipte max hızımız 157 MHz olur. ) Allah'tan iletilen elektronlar değil elektrik alanı ki GHz hızları görebiliyoruz.

    İletken tamam ama transistörde sorun var. Silikon dielektrik olduğundan elektrik alanı burada işe yaramıyor. Elektronların bizzat bir uçtan girip diğer uçtan çıkması (akması) lazım. Ama elektronun silikondaki sürüklenme hızı yalnızca 230 Km/sn. (1 cm çip için 23 MHz. ) Tabii ki bu kadar mesafe tamamen silikon değil ve çoğu kısmı bakır. İşte bu yüzden transistörleri sürekli küçültmeye çalışıyoruz zaten. Ne kadar küçükse elektron o kadar kısa sürede geçer ve frekans artar. (ayrıça çipe daha çok transistör tıkabilir ve voltajı da düşürebiliriz)

    Küçültmek güzel gibi ama bir noktadan sonra dert. Tünelleme-migration dışında saçılma da bela oluyor. Elektronlar sadece geri sekmiyor, sağa sola da sekiyor (araçlar yoldan çıkıyor). Yine yola gelelim, yukarıdaki 50 şeritli yolda ancak 1 ve 50 numaralı şeritlerdeki araçlar yoldan çıkabilir. Sağa-sola gitme ihtimalleri %50 ise toplam saçılma (yoldan çıkma) olasılığı %2 seviyesinde kalır. Yani a noktasından b noktasına gönderdiğimiz sinyal fazla zayıflamaz. 5 şeritli yolda ise 2 şeritten saçılma olacağından oran %20 olur. Yani sinyalimiz hedefte işe yaramayacak kadar zayıflayabilir.

    Bunu yerleşimden uzak şantiyede işçi göndermek olarak düşünürsek, çok işçi yolda kaybedildiğinden şantiyeye ulaşan işçi sayısı yetersiz kalacak. Bunun için ya gönderim süresini uzatacağız, yani mesela işçileri yola yarım saat içinde değil 1 saat içinde yayarak çıkartacağız ve zaiyatı düşüreceğiz (frekansı düşüreceğiz). Yada daha zaiyat halinde bile yeterli olacak kadar çok işçi (elektron) göndereceğiz. Yani voltajı artıracağız ki watt-ısınma yanında migration-tünelleme etkisinin artması demek. Aslında bir kısır döngü var. Hızlanmak için küçülmek lazım, küçülünce de sorunlar artıyor.

    Bunun yanında teknik-mühendislik sorunları da başa çıkılması çok zor hale geliyor.

    Üretim kirliliği : Ne kadar uğraşsak da saf temizlikte ve kusursuz yapıda bir silikon kristali üretmemiz imkansız. En temiz ortamda bile mutlaka bir miktar yabancı atom olacak ve bulaşacaktır. Yine mutlaka kristalde lokal bozukluklar (düzgün olmayan kafes) ortaya çıkacaktır. Yine yarıiletken hale getirmek için eklediğimiz katkı atomları da kusursuz olarak dağılmayacak, yoğunluk farkları oluşacaktır. İşte bu unsurların bileşimi-oranı-etkisi vb ile fiziksel üretim süreçleri bizim üretim kalitesi dediğimiz şeyle sonuçlanır. Örneğin 8 çekirdekli tüm aynı sınıf işlemciler ortak üretilirler. Aynı waferden çıkarlar. Mesela benim FX-8320 ile 8350 ve 8370 aynı wafer üzerinde yan yana durmuş olabilir.

    İşte bu kirlik ve silikon kusurları işlemcinin hızını belirler. Waferin daha saf ve hatasız kısımlarına denk gelen çekirdekler 8370 vb olabilirken (hatta 9590 vb) daha kirli-hatalı kısımlarına denk gelenler de 8320 olabilmiştir. Bugün de aynı durum geçerlidir. Aynı çekirdek sayısı aynı waferde üretilir, testte çıkabildiği hıza ve kapasitesine göre model adı alır. Kirlilik görüldüğü gibi günümüzde de önemli ama kritik değerde değil. 50-60 atom kalınlığı bir yerde 10-20 atomluk bir bozukluk çalışmayı kesmez ama hızını değiştirebilir. Ama 5-7 atomluk bir alanda 2-3-4 atomluk bir bozulma tamamen çalışmaz hale getirebilir. Öyle ki wafer basılan yerler dünyanın en temiz ve arındırılmış alanlarıdır. En yüksek teknoloji ve hassaslık gerektiren uzay işleri, tıp alanları, biyolojik çalışmalar vb bunun yanında çöplük gibi kalır. Daha fazla saflaştırma-hatasızlık ise çok daha zor mühendislik ve yüksek maliyet demek.

    Çapaklanma : Üretim teknolojisi ve aletlerinin tam kusursuz olmamaları sonucu (hiçbir zaman olmayacaklar) ortaya çıkan kristal ve çip kusurlarıdır. Aslında electro migration etkisinin sonucuyla benzer etkidedir. (Bkz:yukardaki migration resmi) Yani hatlarda-transistörlerde oyuk ve tümsekler oluşmasına neden olan üretim kusurudur. Üretimde nm değeri küçüldükçe de oluşan tümsek-oyuk kusurlarının etkisi artmaktadır. Kalın bir hatta-transistörde daha kolay tolere edilebilir ama inceldikçe küçük tümsek ve oyuklar dahi büyük sorun olmaya başlar. Başa çıkma çok daha zor mühendislik çalışması ve çok daha yüksek maliyet gerektirir, ki bunun bile bir sınırı var.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Resimde çok daha büyük nm üretim olmasına rağmen oluşan kirlilik ve çapaklanma etkisi görülmektedir.

    Hizalama : Çip üretimi çok komplextir. Diyelim ki kusursuz kristal yapısına sahip (atomlar erler gibi düzgün hizalanmış ve katkı atomları da onbaşılar gibi eşit dağılmış) bir wafer ürettik. Bunun üzerine de kusursuz keskinlikte (oyuk yok-tümsek yok) ve yapıda (tüm yapılar eşit oran ve ölçüde) olan kusursuz litografi bastık ve waferi kusursuz kestik. Hala mükemmel işlemci üretemedik, sadece elimizde kusursuz die'ler (işlemci zarları) var. Bunu işlemci haline getirmek için önce diedeki transistörleri birbirine bağlamak ve sonra da paketlemek (işlemci kılıfı) ve sonra da test etmek gerekiyor. Burası daha zor.

    İşlemci tek katman değil. Sadece ürettiğimiz die tek katman. Üzerine 30-40 (şimdi belki daha fazla) katmana ulaşan iletim hatları (transistörler arası) bulunuyor ve her katman sıra ile ekleniyor. Katmanı eklerken düzgün hizalama yapamazsanız çip bozuk oluyor. Üretim nm değeri küçüldükçe de düzgün hizalamak gittikçe çok daha zor hale geliyor. Bunu kendiniz de deneyebilirsiniz. İki kurşun kalemin düz arka tarafını mı hizalamak mı zor, yoksa iki 0,5 ucun mu daha zor deneyebilirsinz. Durum aynen bu. Hizalama demek bakır hatların transistörlerin bağlantı uçları ile (gate,drain,source) sağa-sola kaymadan ve boşluk bırakmadan hizalı ve doğru şekilde temas kurması demek.
    Pratik olarak (maliyeti ne olur orası ayrı) 2 nm kalınlığa kadar (7 silisyum atomu kalınlığı) inilmesi mümkün görünüyor. Hatta bazı çevrelerde 1.6 nm değerine ...
    Devamını Gör
    Symbianist 6 ay
    Intel daha 14+++++++ ile kendini avutsun.



    TSMC>Intel nokta!
    melikulupinar 6 ay
    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Şekilde günümüzde işlemcilerde kullanılan FET transistörlerinin (Intel Trigate, AMD FinFET) basit bir şemasını görüyoruz. Mavi-sarı-yesil kısım asıl transistör bölümü. Gri olan substrate denilen taşıyıcı tabaka. Kırmızı olansa katmanları ayırmak için kullanılan yalıtkan (dielektrik) tabaka. Mavi kısım gate, sarı spacer denilen ayırıcı tabaka. Yeşilin açık renk kısmı geçit. Koyu kısmının ise biri source diğer ucu drain. Bakır hatlarla bağlantılar işte bu iki koyu yeşil kısma ve kare şeklinde görülen mavi kısma yapılıyor.

    Tabii ki erimiş bakır dökemiyoruz silikon anında yanar. Çok düşük başın ve sıcaklıkta bakır buharlatırılıyor-iyonlaştırılıyor ve elektostatik olarak bu alanlara (K.yeşil-mavi) yapışarak doldurması sağlanıyor. Sonra yüzey cilalanıp düzleştiriliyor. Tekrar kırmızı yalıtkan tabaka ekleniyor. Bu da cilalanıp düzleştiriliyor ve istenen kalınlığa getiriliyor. Tekrar litografi ile bu yalıtkan tabakada alt tabakaya ulaşan delikler ve yatay iletim hatları için kanallar açılıyor. Hizalama işte burada önemli. Alta ulaşan deliklerin doğru yerde ve hizada açılması lazım, yoksa iyi temas sağlanamıyor. Sonra bakırla dolduruluyor ve cilalanıyor, sonra tekrar yalıtkan tabaka ekleme, delik-kanal açma, bakır doldurma, cilalama ve yalıtkan ekleme diye defalarca tekrarlanıyor.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Şekilde transistör diesi ve tabakalar görünüyor. Bakır rengi olanlar tabii ki bakır iletim hatları. Burada gösterilmese de onların da arasında ve boşluklarında yalıtkan tabaka bulunuyor.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Bu şekilde tabakaların sayısındaki artışı görüyoruz. Şu anda 30 tabakadan fazla sayıdalar.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Burada bu tabakaların şematik bir gösterimi var.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Bu da gerçek tabakaların elektron mikroskobundaki görüntüsü var.Şimdi bu tabakalar daha fazla.

    İşte bu tabakalar arsındaki kontaklar düzgün olmazsa-hizalanmazsa çip bozuk oluyor. Nm küçüldükçe de hizalamak gittikçe daha zor hale geliyor, bozuk çip oranı artıyor, birim başına maliyet yükseliyor. Üstelik üretim geometrisi de bunu ciddi oranda etkiliyor. Mesela AMD işlemcilerde kullanılan FinFET geometrili transistörler daha avantajlı. Transistör daha yatay-yayvan ve yüksekliği az, gate-source-drain kontak noktaları üstte ve kontak alanları da geniş. Intel Tri-Gate geometrisi ise daha dikey yapıda, yüzey alanı daha dar ama daha yüksek ve kontaklar daha yanda. Üstelik kontak alanları da diğerine göre daha dar. Dolayısı ile tri-gate ile doğru hizalama yapmak finfete göre çok daha zor. Bu daha büyük-daha küçük hedefe atış yapmak gibi. Hedef küçüldükçe isabet zorlaşır.

    Intelin sıkıntısı bu aslında. Yıllardır 14 nm teknolojisinden 10 nm teknolojisine geçemedi. Aslında Intel 14 nm tri-gatesi transistör yüzey boyutu olarak AMD Finfetin 12 nm değerlerine tekabül ediyor. (biraz daha iyi) Ancak geometrisi kontakların yandan yapılmasına gerek duyuyor ve transistörün kendi kapladığı alan daha az olsa da (daha dar ama daha derin yapı) kontaklar da finfetin tersine biraz alan kaplıyor. Bu yüzden aynı birim alana sığdırdıkları toplam transistör sayısı denk sayılır.

    Intelin sorunu bu hizalama olayı. Hem AMD işlemcilere göre daha fazla katman var hemde kontak alanları daha küçük. Hizalama hataları çok oluyor ve waferlerden çok daha az sağlam die çıkıyor (çok yüksek birim maliyet). Yoksa intel yıllardır 10 nm üretebiliyor. Sorunu yüksek hatadan dolayı düşük wafer-die verimi. Verimi birim çip başına uygun maliyet sağlayacak kadar yükseltemedi.

    Eninde sonunda silikonun 1.6 nm civarlarında sonu gelecek.
    [resim] Şekilde günümüzde işlemcilerde kullanılan FET transistörlerinin (Intel Trigate, AMD FinFET) basit bir şemasını görüyoru...
    Devamını Gör
    1 Avatar
    Hobar 6 ay
    Ben iletkenliği gümüş, altın, bakır diye sıralanıyor sanıyordum.



    Eğer devrimsel birşeyler bulunamaz ise eski yöntem 5-6 yıl içinde duvara çarpacak gibi duruyor. Şimdi bile etkileri hissediliyor. On sene önce ekran kartlarında falan iki seneye kalmadan performans ikiye katlardı. Şimdi aynı gelişim 5 yıl sürüyor. Sabit disk ve belleklerde bile eski kapasite artış hızı yok. Eski artış son on yılda olsa şimdi 512gb falan bellek kullanmamız lazımdı 2012 de 2tb disk almışım şimdi yaygın kapasite yine aynı. Geçen zamanda sadece ssd ler ucuzladı.
    melikulupinar 6 ay Hobar
    Geliştirmek (araştırma-test-üretim maliyeti) gittikçe daha da zorlaşıyor da o yüzden.

    Eskiden yeni bir işlemci çıktığında eskisi zayıf hale gelirdi ve bir önceki de direkt çöp olurdu. Mesela 80286 çıkınca 8086 çöp olmuştu. 386 çıkınca 286 sürünmeye başlamıştı. 486 çıktığında 386 gebermiş, 286 da gömülmüştü. Pentium serisi ile 386 bitti. Pentium II ile 486-586 bitti. Pentium II-Athlon ile MMX ve 686-K6 öldü. Athlon 64 ile pentium 3 ve athlon ve öncekiler gümledi. Bundan sonra gelişmeler yavaşlamaya başladı.

    Phenom I, Core Duo işlemciler Athlon 64 serisini öldüremedi. Hatta Phenom II- Core 2 serisi bile. Bu forumda bile 3 sene evvele kadar Athlon 64 kullananlar vardır. Bugün programların büyük çoğunluğu required olarak Core2 Phenom II serisine göre yazılır. Bundan sonra ilerleme gıdım gıdım oldu. 2012 yılında aldığım FX-8320 ile hala her istediğimi yapıyorum.

    Gelişme yavaşlıyor, maliyet artıyor ama aslında bizim cebimizden daha az para çıkıyor. Zira bir ürünü çok daha uzun süre kullanıyoruz. Hala HD-7950 ile FullHD ile oyun oynanabiliyor. (dolar yüzünden en çok satılan 1050 ile denk hatta az iyi) Eskiden olsa en az 2-3 nesil değiştirilirdi.
    melikulupinar 6 ay
    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Şekilde günümüzde işlemcilerde kullanılan FET transistörlerinin (Intel Trigate, AMD FinFET) basit bir şemasını görüyoruz. Mavi-sarı-yesil kısım asıl transistör bölümü. Gri olan substrate denilen taşıyıcı tabaka. Kırmızı olansa katmanları ayırmak için kullanılan yalıtkan (dielektrik) tabaka. Mavi kısım gate, sarı spacer denilen ayırıcı tabaka. Yeşilin açık renk kısmı geçit. Koyu kısmının ise biri source diğer ucu drain. Bakır hatlarla bağlantılar işte bu iki koyu yeşil kısma ve kare şeklinde görülen mavi kısma yapılıyor.

    Tabii ki erimiş bakır dökemiyoruz silikon anında yanar. Çok düşük başın ve sıcaklıkta bakır buharlatırılıyor-iyonlaştırılıyor ve elektostatik olarak bu alanlara (K.yeşil-mavi) yapışarak doldurması sağlanıyor. Sonra yüzey cilalanıp düzleştiriliyor. Tekrar kırmızı yalıtkan tabaka ekleniyor. Bu da cilalanıp düzleştiriliyor ve istenen kalınlığa getiriliyor. Tekrar litografi ile bu yalıtkan tabakada alt tabakaya ulaşan delikler ve yatay iletim hatları için kanallar açılıyor. Hizalama işte burada önemli. Alta ulaşan deliklerin doğru yerde ve hizada açılması lazım, yoksa iyi temas sağlanamıyor. Sonra bakırla dolduruluyor ve cilalanıyor, sonra tekrar yalıtkan tabaka ekleme, delik-kanal açma, bakır doldurma, cilalama ve yalıtkan ekleme diye defalarca tekrarlanıyor.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Şekilde transistör diesi ve tabakalar görünüyor. Bakır rengi olanlar tabii ki bakır iletim hatları. Burada gösterilmese de onların da arasında ve boşluklarında yalıtkan tabaka bulunuyor.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Bu şekilde tabakaların sayısındaki artışı görüyoruz. Şu anda 30 tabakadan fazla sayıdalar.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Burada bu tabakaların şematik bir gösterimi var.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Bu da gerçek tabakaların elektron mikroskobundaki görüntüsü var.Şimdi bu tabakalar daha fazla.

    İşte bu tabakalar arsındaki kontaklar düzgün olmazsa-hizalanmazsa çip bozuk oluyor. Nm küçüldükçe de hizalamak gittikçe daha zor hale geliyor, bozuk çip oranı artıyor, birim başına maliyet yükseliyor. Üstelik üretim geometrisi de bunu ciddi oranda etkiliyor. Mesela AMD işlemcilerde kullanılan FinFET geometrili transistörler daha avantajlı. Transistör daha yatay-yayvan ve yüksekliği az, gate-source-drain kontak noktaları üstte ve kontak alanları da geniş. Intel Tri-Gate geometrisi ise daha dikey yapıda, yüzey alanı daha dar ama daha yüksek ve kontaklar daha yanda. Üstelik kontak alanları da diğerine göre daha dar. Dolayısı ile tri-gate ile doğru hizalama yapmak finfete göre çok daha zor. Bu daha büyük-daha küçük hedefe atış yapmak gibi. Hedef küçüldükçe isabet zorlaşır.

    Intelin sıkıntısı bu aslında. Yıllardır 14 nm teknolojisinden 10 nm teknolojisine geçemedi. Aslında Intel 14 nm tri-gatesi transistör yüzey boyutu olarak AMD Finfetin 12 nm değerlerine tekabül ediyor. (biraz daha iyi) Ancak geometrisi kontakların yandan yapılmasına gerek duyuyor ve transistörün kendi kapladığı alan daha az olsa da (daha dar ama daha derin yapı) kontaklar da finfetin tersine biraz alan kaplıyor. Bu yüzden aynı birim alana sığdırdıkları toplam transistör sayısı denk sayılır.

    Intelin sorunu bu hizalama olayı. Hem AMD işlemcilere göre daha fazla katman var hemde kontak alanları daha küçük. Hizalama hataları çok oluyor ve waferlerden çok daha az sağlam die çıkıyor (çok yüksek birim maliyet). Yoksa intel yıllardır 10 nm üretebiliyor. Sorunu yüksek hatadan dolayı düşük wafer-die verimi. Verimi birim çip başına uygun maliyet sağlayacak kadar yükseltemedi.

    Eninde sonunda silikonun 1.6 nm civarlarında sonu gelecek.
    Hobar 6 ay melikulupinar
    Kısa vadede performans artışı için bakır yerine daha iyi bir iletken kullanılabilir mi? Yatay yerine nand flashlar gibi üst üste katmanlı şekilde üretmek mümkün mü?



    Ya da önümüzdeki 20 yıl iç içinde optik bilgisayar veya grafen kullanılan bir çip gibi daha devrimsel teknolojiler hayata geçebilir mi?
    melikulupinar 6 ay en beğenilen
    Pratik olarak (maliyeti ne olur orası ayrı) 2 nm kalınlığa kadar (7 silisyum atomu kalınlığı) inilmesi mümkün görünüyor. Hatta bazı çevrelerde 1.6 nm değerine (5 silisyum atom kalınlığı-son sınır) kadar inmek de mümkün görünüyor. Silisyum kristalindeki atomların kovalent çapı 222 pikometre. (0,222 nanometre) Bu durumda 7 atom 1,55 nanometre, 5 atom 1,11 nanometre yapıyor. Yani teoride 1,1-1,2 nm civarına inmek mümkün gözükse de pratikte mümkün değil.

    Zira saf silisyum yalıtkan bir madde.Bunu yarı iletken hale getirmek için silikon kristaline katkı atomları ekleniyor, yani saf silisyum kristali valans değeri yüksek veya düşük (N veya P tipi yarıiletken) atomlar ile kirletiliyor. Silisyum son yörüngesinde 4 elektrona sahip (4/8) olduğundan diğer silisyumlar ile 4 kovalent bağ kuruyor ve boşta/fazla valans elektronu kalmadığından yalıtkan oluyor. N tipi için genelde son yörüngesinde (5/8 elektron) olan atomlar kullanılıyor ve 1 elektron bağlanmadan kalıyor. Bu açık elektron sanki fazla elektron (tümsek) varmış gibi davranıyor ve N tipi deniyor. P tipi için ise son yörüngesinde (3/8 elektron) olan atomlar kullanılıyor ve bir bağ açıkta kalıyor. Sanki 1 elektron eksikmiş gibi P tipi (oyuk) deniliyor. (Fosfor, bor, arsenik vb)

    Silisyum ile katkı atomlarının kovalent çapları farklı olduğundan kristal yapısı düzgün olmuyor. (kristal kafes hücreleri şişiyor veya büzüşüyor katkı atomunun kovalent çapına göre). Bu ise direnç-saçılma vb sorunlara yol açıyor. Kristali düzgün yapmak için gerdirme teknikleri kullanılıyor, yani kristaldeki en büyük kovalent çapa göre hizalanmaya çalışılıyor. (Örneğin FD-SOI dediğimiz üretim tekniğindeki SOI tanımı silicon on isolator demektir ve bir gerdirme tekniğini ifade eder) Gerdirme sonucunda kristal biraz büyüyor ve ara boşluklarla birlikte yukarıdaki 7/5 nm için olan 1,55/1,11 nm değerleri de 2/1.6 nm değerlerine ulaşıyor.

    Nm değeri çok küçülünce tabii ki bazı sorunlar baş gösteriyor. Kuantum tünellemesi, electromigration, saçılma gibi atomik davranış bozulmalarının yanı sıra hizalama, çapaklanma, kirlilik gibi üretim sorunları da ciddi sıkıntı yaratmaya başlıyor.

    Kuantum tünellemesi : İletkende gitmesi gereken elektronun iletkenler arası yalıtkanı kuantum tünelleme etkisi ile geçerek başka iletkene atlaması sonucu sinyalin bozulmasına neden olmasıdır. Tünelleme aslında oldukça yavaş bir hızdadır ama kalınlıklar artık 5-7 atom seviyelerine indiğinde ciddi sorun olmaktadır. Üstelik yeri ve zamanı belli olan bir olgu da değildir, önceden tahmin edilemeyen bir rastlantısallık içerir. Quantum olgusu çok durumluluk ve olasılık içerdiğinden tespiti ve testi imkansıza yakındır. Bir gün düzgün çalışan işlemci (olasılık gerçekleşmedi) öbür gün sapıtabilir, başta düzgün çalışıp sonra yamulabilir.

    Electromigration : Bir iletkendeki atomların akan elektronların çarpması (direnç faktörlerinden) sonucu yer değiştirmesidir. Bu yer değiştirme sonucu incelip iletkenliği azalabilir veya tamamen kopabilir. Veya taşınan atomlar bir yere yığılıp tümsek-çapak oluşturabilir ve yakın iletken hatlarla kısa devre yapabilir. (veya aralık azaldıkça tünelleme etkisi de artar) Isı ve voltaj da bu etkiyi artırır. Voltaj arttıkça akan elektronunda enerjisi artacağından çarpma etkisi de artar. Yine ısı da kristalin bağlarını zayıflattığından (metaller kristaldir ve böyle erirler mesela) atomlar daha kolay koparılabilir yerinden. Electro migration ilerleyince çip ölür.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Resimde electromigation sonucu hem kopma noktasına gelen, hem de tümsek-çapak oluşturup yan hatla kısa devre yapıp ölen çip örnekleri görüyoruz. Günümüz 55-60 atom kalınlığında (yaklaşık 12 nm) iletken yollarda 20-25 atomun kemirilmesi veya yığılması bile sorun yaratmayabilir. Ama 5-7 atom söz konusu oluna 2-3 atomluk bir taşınma bile çok ciddi hasar demektir.

    Saçılma : İletkenlerdeki direnç dediğimiz olgunun sonucudur. Direnci belirleyen ilk faktör valans elektronunun ne kadar zor/kolay koparılabildiğidir. En iyi iletkenler son yörüngesinde 1 valans elektronu içeren ve bu nedenle kolay koparılabilen gümüş, altın, bakır gibi metallerdir. İkinci faktör ısıdır. Isınan iletkenlerin direnci artar. (yarıiletkenler tam tersi) Isı özünde bir titreşim olduğundan daha fazla titreşen atomlar akan elektronlarla daha fazla çarpışırlar. (akan elektron atomun çekirdeğine değil elektronuna çarpar) Üçüncü etken ise iletkenin kesiti-kalınlığıdır. Ortaokulda bile öğretiyorlar.

    Bu aslında trafik gibidir. Çok sayıda elektronun (aracın) aktığı yol daraldıkça tıkanma-çarpışma oranı da artacaktır. İşlemcilerde transistörler arasında iletim için bakır hatlar kullanılıyor. Elektronlar bakırda aslında otoyoldaki araçlar gibi AKMIYORLAR. İlerleme şekline SÜRÜKLENME deniyor. Şöyle diyelim; rüzgara karşı topa vurup 20 metre ileri atıyorsunuz, rüzgar 10 m geri getiriyor, sonra yine 20-10 diye ilerliyorsunuz. Çarpan elektronlar da sekiyor ve elektrik alanı onları tekrar ileri gönderiyor, bir top gibi. Elektronun bakırdaki sürüklenme hızı 1570 Km/saniye. (bu durumda en uzak iki nokta arası mesafe 1 cm olan bir çipte max hızımız 157 MHz olur. ) Allah'tan iletilen elektronlar değil elektrik alanı ki GHz hızları görebiliyoruz.

    İletken tamam ama transistörde sorun var. Silikon dielektrik olduğundan elektrik alanı burada işe yaramıyor. Elektronların bizzat bir uçtan girip diğer uçtan çıkması (akması) lazım. Ama elektronun silikondaki sürüklenme hızı yalnızca 230 Km/sn. (1 cm çip için 23 MHz. ) Tabii ki bu kadar mesafe tamamen silikon değil ve çoğu kısmı bakır. İşte bu yüzden transistörleri sürekli küçültmeye çalışıyoruz zaten. Ne kadar küçükse elektron o kadar kısa sürede geçer ve frekans artar. (ayrıça çipe daha çok transistör tıkabilir ve voltajı da düşürebiliriz)

    Küçültmek güzel gibi ama bir noktadan sonra dert. Tünelleme-migration dışında saçılma da bela oluyor. Elektronlar sadece geri sekmiyor, sağa sola da sekiyor (araçlar yoldan çıkıyor). Yine yola gelelim, yukarıdaki 50 şeritli yolda ancak 1 ve 50 numaralı şeritlerdeki araçlar yoldan çıkabilir. Sağa-sola gitme ihtimalleri %50 ise toplam saçılma (yoldan çıkma) olasılığı %2 seviyesinde kalır. Yani a noktasından b noktasına gönderdiğimiz sinyal fazla zayıflamaz. 5 şeritli yolda ise 2 şeritten saçılma olacağından oran %20 olur. Yani sinyalimiz hedefte işe yaramayacak kadar zayıflayabilir.

    Bunu yerleşimden uzak şantiyede işçi göndermek olarak düşünürsek, çok işçi yolda kaybedildiğinden şantiyeye ulaşan işçi sayısı yetersiz kalacak. Bunun için ya gönderim süresini uzatacağız, yani mesela işçileri yola yarım saat içinde değil 1 saat içinde yayarak çıkartacağız ve zaiyatı düşüreceğiz (frekansı düşüreceğiz). Yada daha zaiyat halinde bile yeterli olacak kadar çok işçi (elektron) göndereceğiz. Yani voltajı artıracağız ki watt-ısınma yanında migration-tünelleme etkisinin artması demek. Aslında bir kısır döngü var. Hızlanmak için küçülmek lazım, küçülünce de sorunlar artıyor.

    Bunun yanında teknik-mühendislik sorunları da başa çıkılması çok zor hale geliyor.

    Üretim kirliliği : Ne kadar uğraşsak da saf temizlikte ve kusursuz yapıda bir silikon kristali üretmemiz imkansız. En temiz ortamda bile mutlaka bir miktar yabancı atom olacak ve bulaşacaktır. Yine mutlaka kristalde lokal bozukluklar (düzgün olmayan kafes) ortaya çıkacaktır. Yine yarıiletken hale getirmek için eklediğimiz katkı atomları da kusursuz olarak dağılmayacak, yoğunluk farkları oluşacaktır. İşte bu unsurların bileşimi-oranı-etkisi vb ile fiziksel üretim süreçleri bizim üretim kalitesi dediğimiz şeyle sonuçlanır. Örneğin 8 çekirdekli tüm aynı sınıf işlemciler ortak üretilirler. Aynı waferden çıkarlar. Mesela benim FX-8320 ile 8350 ve 8370 aynı wafer üzerinde yan yana durmuş olabilir.

    İşte bu kirlik ve silikon kusurları işlemcinin hızını belirler. Waferin daha saf ve hatasız kısımlarına denk gelen çekirdekler 8370 vb olabilirken (hatta 9590 vb) daha kirli-hatalı kısımlarına denk gelenler de 8320 olabilmiştir. Bugün de aynı durum geçerlidir. Aynı çekirdek sayısı aynı waferde üretilir, testte çıkabildiği hıza ve kapasitesine göre model adı alır. Kirlilik görüldüğü gibi günümüzde de önemli ama kritik değerde değil. 50-60 atom kalınlığı bir yerde 10-20 atomluk bir bozukluk çalışmayı kesmez ama hızını değiştirebilir. Ama 5-7 atomluk bir alanda 2-3-4 atomluk bir bozulma tamamen çalışmaz hale getirebilir. Öyle ki wafer basılan yerler dünyanın en temiz ve arındırılmış alanlarıdır. En yüksek teknoloji ve hassaslık gerektiren uzay işleri, tıp alanları, biyolojik çalışmalar vb bunun yanında çöplük gibi kalır. Daha fazla saflaştırma-hatasızlık ise çok daha zor mühendislik ve yüksek maliyet demek.

    Çapaklanma : Üretim teknolojisi ve aletlerinin tam kusursuz olmamaları sonucu (hiçbir zaman olmayacaklar) ortaya çıkan kristal ve çip kusurlarıdır. Aslında electro migration etkisinin sonucuyla benzer etkidedir. (Bkz:yukardaki migration resmi) Yani hatlarda-transistörlerde oyuk ve tümsekler oluşmasına neden olan üretim kusurudur. Üretimde nm değeri küçüldükçe de oluşan tümsek-oyuk kusurlarının etkisi artmaktadır. Kalın bir hatta-transistörde daha kolay tolere edilebilir ama inceldikçe küçük tümsek ve oyuklar dahi büyük sorun olmaya başlar. Başa çıkma çok daha zor mühendislik çalışması ve çok daha yüksek maliyet gerektirir, ki bunun bile bir sınırı var.

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın

    Resimde çok daha büyük nm üretim olmasına rağmen oluşan kirlilik ve çapaklanma etkisi görülmektedir.

    Hizalama : Çip üretimi çok komplextir. Diyelim ki kusursuz kristal yapısına sahip (atomlar erler gibi düzgün hizalanmış ve katkı atomları da onbaşılar gibi eşit dağılmış) bir wafer ürettik. Bunun üzerine de kusursuz keskinlikte (oyuk yok-tümsek yok) ve yapıda (tüm yapılar eşit oran ve ölçüde) olan kusursuz litografi bastık ve waferi kusursuz kestik. Hala mükemmel işlemci üretemedik, sadece elimizde kusursuz die'ler (işlemci zarları) var. Bunu işlemci haline getirmek için önce diedeki transistörleri birbirine bağlamak ve sonra da paketlemek (işlemci kılıfı) ve sonra da test etmek gerekiyor. Burası daha zor.

    İşlemci tek katman değil. Sadece ürettiğimiz die tek katman. Üzerine 30-40 (şimdi belki daha fazla) katmana ulaşan iletim hatları (transistörler arası) bulunuyor ve her katman sıra ile ekleniyor. Katmanı eklerken düzgün hizalama yapamazsanız çip bozuk oluyor. Üretim nm değeri küçüldükçe de düzgün hizalamak gittikçe çok daha zor hale geliyor. Bunu kendiniz de deneyebilirsiniz. İki kurşun kalemin düz arka tarafını mı hizalamak mı zor, yoksa iki 0,5 ucun mu daha zor deneyebilirsinz. Durum aynen bu. Hizalama demek bakır hatların transistörlerin bağlantı uçları ile (gate,drain,source) sağa-sola kaymadan ve boşluk bırakmadan hizalı ve doğru şekilde temas kurması demek.
    DH Misafiri 6 ay
    Quantum olayları atom altı alemlerde görüldüğü gibi, atom üstü alemde de görülüyor... mesela moleküllerden "benzen halkası" nda da kuantum olayları gözleniyor, benzen halkasındaki "pi" elektronları Quantum Superposition dediğimiz olayı gerçekleştiriyor... ama biz,bilgisayarcılar; daha silikon dünyasından dışarı adım atmadığımız için mevcut bilgisayarlar Quantum olaylarını sümüle edemiyor... Qbit dediğimiz şeyler sadece Ev ortamı yada cep ortamı için hayat, Ne zamanki karbon naotüp temelli bilgisayarlar çıkar , o zaman quantum cebe ve dolayısıyla masa üstüne yani eve gelir... daha iyi bir (Bilgisayar alemi için...)Quantum sıçraması dileğiyle...
    mehmet4428 6 ay
    Transistör olayının tamamen değişmesi gerekiyor.
    Diğer türlü zar alanını genişletmekten öteye gidemeyiz gibi.
    SEO19 6 ay
    ne quantum çatallaşması yaw !
    quantum sapması madde atom altı parçacıklar oluşur
    ve haliyle projeksiyon perdesi gibi şu aralıklarda görüntülenir.
    yani quantum dalgalanmasının oluştuğu yer madde üstü değil
    madde atom altıdır.

    bu açıdan daha gidilecek çok yol var !' :)

    2 tane bilim-kurgu romanı okuyan herkes fütürist çıktı başımıza :)

    Resmin büyük halini görebilmek için tıklayın
    EMINX84 6 ay
    Silikon Nm teknolojisinin sonu geliyor.

    Ezio Auditoré 6 ay
    Şu an kullandığım pc'nin işlemci litografisi 90nm.

    Yani ne acayiptir ki şu an 5nm'yi konuşuyoruz. Daha Eylül ayında 7nm telefonlara geldi. Dinozor olmasam da yaşlanmış hissi geldi bana.
    SEO19 6 ay
    adamlarda ne röntgen cihazı var be

    bununla dişinizdeki bakterinin dişindeki çürüğün bile resmini çekersiniz

    aynı o şekil yani, kaptan :)
    SEO19 6 ay
    hakikati gördüm !

    büyük patlama değil !

    büyük hiçlik maddeye şekil verme sürecinden 2. başlangıç aşamasıydı :)

    içten dışa büyük patlama var olsaydı ! hiç bir zaman enerji madde şeklini alamazdı.

    ama hiçliğin vakkum etkisiyle önce dağılma sonrası enerjinin soğurmasıyla maddenin oluşması için
    büyük (-) hiçlik enerjisi olması lazım ki ; bu şekilde dağıldıktan sonra (+) olarak madde şekillene bilsin !
    Yorum Yaz Forumda Yanıtla
    B I U " İçerik Göm DH Video Twitter YouTube Instagram Vine Künye BSC Oyun IMDb - url img @
    Nasıl eklemek istersiniz?
    Haftanın Beğenilen Yorumcuları
    Tüm güncellemelerden eposta yoluyla haberdar olun.
    ŞU ANDA GÖRÜNTÜLEYEN
    1 Misafir

    İLGİ DÜZEYİ
    5544 TIK

    HABERİN ETİKETLERİ
    tsmc, tsmc 5nm ve
    Sorgu:
    Önceki ve Sonraki İçerikler
    Daha Yeniler 6 ay Tesla'nın otomatik park yardım sistemi Enhanced Summon, ABD'de kullanıma sunuluyor 6 ay Hastane bilgisayarlarına bulaştırılan virüsler, doktorların yanlış kanser tanısı koymalarına neden oluyor 6 ay Rekor taşınma: Atatürk Havalimanı sadece 32 saatte İstanbul Havalimanı’na taşındı 6 ay HoloLens 2, gerçek savaşı Call of Duty oyunu gibi yaşatacak 6 ay Samsung ve Huawei, kamera bileşenlerine Apple'dan daha çok para harcıyor 6 ay Panasonic Lumix G95 hem video hem fotoğraf için geliştirildi 6 ay Samsung Galaxy S10 5G ilk kez parçalarına ayrıldı 6 ay Parker Solar Probe, Güneş etrafındaki yolculuğuna devam ediyor 6 ay Çinli temizlik işçileri artık konum takibi ve sesli uyarı yapan akıllı bileklikler takmak zorunda 6 ay Xiaomi Redmi 7 bekleme süresi canlı yayında 435 saate ulaştı 6 ay Beğenilen Spirit Roots platform oyunu Android’e geldi 6 ay Android Q, 3D Touch benzeri “deep press” özelliği ile gelecek 6 ay Apple Watch yine hayat kurtarmasıyla gündemde 6 ay Google Asistan artık daha görsel içerikli cevaplar verecek 6 ay Facebook vergi almaya başladı 6 ay Christopher Nolan'ın yeni filmiyle ilgili ilk detaylar geldi 6 ay Hayabusa2 uzay aracı, Ryugu asteroitini bombaladı 6 ay Youtube'un 'resim içinde resim' özelliği ABD dışındaki ülkelerde de Premium olmayan kullanıcılarla buluşuyor 6 ay Amazon Alexa hastaların sağlık durumuyla ilgili bilgileri bünyesinde barındıracak 6 ay Karanlık Enerji teleskobu ilk görüntüsünü yakaladı 6 ay GÖRÜNTÜLENEN TSMC 5 nm yongaların üretimine başladı, %15 performans getirisi var Sonraki Kötü beslenme dünya çapında erken ölüme sebep olan en büyük risk faktörü 6 ay Haziran ayına kadar dört LG modeli Android Pie güncellemesi alacak 6 ay Microsoft güncellemelerdeki ısrarından vazgeçiyor 6 ay Hyundai ve Tencent otonom araç teknolojileri geliştirmek için anlaşma imzaladı 6 ay Oppo Reno, 24 Nisan'da Zürih'te tanıtılacak 6 ay Netflix, Apple Airplay desteğini sonlandırdı 6 ay Microsoft, Windows 10 Mayıs 2019 Güncellemesi'ni resmen duyurdu 6 ay Facebook, Windows Phone uygulamalarını sonlandırıyor 6 ay Üç arka kameralı Lenovo K6 Enjoy piyasaya sürüldü 6 ay Haftaya A101 ve BİM marketlerde akıllı telefon, powerbank ile fitness bilekliği geçidi var 6 ay Google, Android TV kullanıcılarını beklenmeyen reklamlarla şaşırttı 6 ay Resmi Samsung Galaxy Fold kılıfları 120 dolara satılacak 6 ay Orta seviye Google Pixel 3a ve Pixel 3a XL doğrulandı 6 ay The Witness oyunu Epic Store platformunda ücretsiz 6 ay 2si1 | Haftanın öne çıkan Teknoloji ve Oyun Haberleri 6 ay Apple Music ABD’de Spotify’ı geride bıraktı 6 ay Xiaomi, Mi 9 üretimini artırıyor 6 ay Xbox Live ve Game Pass için ortak paket gelebilir 6 ay 5G teknolojisi sağlığımızı ve güvenliğimizi tehdit ediyor 6 ay Amazon, SpaceX'e rakip oluyor: 3 bin uyduyla 'uzaydan internet' Daha Eskiler
    Alternatif Görünümler Geri Bildirim