Japonya'nın önde gelen bellek üreticilerinden Elpida Memory, ultra ince ve geniş 25nm üretim teknolojisini kullanarak dünyanın en küçük 4Gb'lik DDR3 DRAM belleğini geliştirdiğini duyurdu.
25nm teknolojisiyle üretilen ve 1866 MHz ya da üzeri hızda çalışabilen bellek, çalışır halde iken %25-30 daha az, bekleme durumunda ise 30nm ile üretilen bellek ile aynı akıma ihtiyaç duyarken; ona göre %45 daha fazla üretkenlik sunuyor.
1,35 ya da 1,5V elektrik potansiyelinde, işlem şartlarında 0 ila 95 Celcius sıcaklık aralığında çalışabilen belleğin ön seri üretimi ve seri üretiminin bu yılın son döneminde gerçekleştirilmesi planlanıyor.
Yorum Yaz Paylaş Tweetle Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
Transistörler stabil çalışma için belirli bir mininum voltaja ve akıma ihtiyaç duyarlar.. Bu minimumun altında ohmik davranış gösterirler, ki istenen bu değildir. Transistörler non-ohmik devre elemanlarıdır.
İlginç, neden çalışırken 30nm üretimi bellekten daha az akım çekerken bekleme konumunda -çalışmaksızın- 30nm üretimi bellekle aynı akımı çekiyor?
Voltajına bakılırsa PC'ler için geliştirilmiş. Her bir çip 4 Gigabit=512 MB kapasitede.