İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
Samsung’un HBM stratejisi netleşti
Yeni raporlara göre Samsung, Pyeongtaek’teki P4 tesisinde kurduğu üretim hattında 1c DRAM için hazırlıkları tamamlanmak üzere. Şirketin bu yongalarda %30-40 verim elde ettiği, ancak bu oranın hızla artışa geçtiği aktarılıyor.
Kaçıranlar için 1c DRAM, Samsung’un daha önce HBM3E için kullandığı 1a DRAM’den iki nesil ileri düzeyde. Kritik nokta ise, rakipleri SK hynix ve Micron hâlihazırda 1b DRAM tabanlı HBM3E sunarken, Samsung'un doğrudan HBM4'e odaklanması. Yeni DRAM tasarımında çevresel devre hat genişliği artırılarak daha stabil bir yapı hedeflenmiş; bu da maliyetten ziyade güvenilirliği önceleyen bir strateji anlamına geliyor.
Son olarak daha önce Samsung Semiconductor Başkan Yardımcısı Jeon Young-hyun, Samsung’un HBM pazarındaki gecikmeyi kabul ettiğini ancak HBM4 ve özelleştirilmiş çözümlerle bu kaybı telafi edecek altyapının kurulduğunu vurgulamıştı. Jeon'a göre şirket artık yeni nesil belleklerde benzer hataları tekrarlamamak için aşamalı ve planlı bir şekilde ilerliyor.
Samsung’un bu agresif yeniden yapılanması, yalnızca HBM4 pazarıyla sınırlı değil. Keza şirket, DRAM tasarımını ve üretim süreçlerini entegre biçimde kontrol ederek, rakiplerinin aksine TSMC gibi harici üreticilere bağımlı kalmadan özelleştirilmiş taleplere doğrudan yanıt verebilecek bir konuma gelmeyi hedefliyor. Bu da, şirketi yapay zeka pazarında daha rekabetçi bir oyuncu hâline getirebilir.
Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin:
