Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir indirim kodu
    Anlık Bildirim

    Micron, 3D NAND bellek üretimine başlıyor

    NAND bellek sektöründe önemli bir yer tutan dikey ya da 3D dizilim teknolojileri, gelişmeye ve büyümeye devam ediyor. Micron, ilk 3D NAND bellek modüllerini yaz aylarında üretime sokacak.
    Oy Ver

    Bellek alanının önemli isimlerinden olan Micron, rakibi Samsung'un aksine halen yatay NAND bellek teknolojilerini kullanıyor. Bu yıl yaz aylarına doğru 3D NAND bellek teknolojisine geçiş yapacak olan Micron, rekabette elini güçlendirecek önemli avantajları da beraberinde getiriyor. 

    3D NAND veya dikey NAND bellek olarak adlandırılan bu teknoloji, bellek katmanlarını yan yana değil üst üste istifliyor. Böylece daha az alanda daha fazla kapasitelerin önü açılıyor. Samsung, 3D NAND bellek teknolojisinde önemli mesafeler katetti ve piyasada pek çok ürünü yer alıyor. 

    Micron'un 3D NAND bellek teknolojisi, daha yoğun kapasitelere odaklanıyor. Çok seviyeli hücre - MLC modunda, 32 katmanlı tek bir zar üzerinde 256Gbit kapasite mümkün oluyor. Micron, rakip teknolojilerin bu kapasiteye ancak 48 katman ile ulaşabildiğini belirtiyor. Eğer, üç bitlik hücre - TLC yapısı kullanılırsa, kapasite 384Gbit seviyesine çıkıyor. Hücrelerdeki bit yoğunlukları da artırılmış. MLC modunda bit blokları 16MB, TLC modunda ise 24MB boyutunda. 

    Micron bu sayede, flash bellek boyutundaki yapılara 3.5TB kapasite sığdırabileceğini belirtiyor. 2.5 inçlik yapılara ise 10TB'a kadar kapasite eklenebilecek. Yoğun kapasitelerin en büyük sebebi ise CMOS Under the Array teknolojisi, Bu teknoloji, zar alanında büyük yer kaplayan mantık hücrelerini alıyor ve zardaki depolama bölümünün tam altına yerleştiriyor. Böylece alandan kazanılmış oluyor. Ayrıca yazma performansında da iyileşme sağlanıyor.


    Hataların düzeltilmesi konusunda da Micron, yüzen kapı teknolojisini kullanıyor. SK Hynix'in bir süre denediği ancak verimlilik sağlayamadığı yüzen kapı teknolojisinde, Micron ve Intel uzmanlaşmış durumda. Yüzen kapı teknolojisi, hata düzeltmelerini en aza indiriyor ve böylece fazla enerji harcanmasının önüne geçiyor. Bu da, daha iyi enerji tasarrufu anlamına geliyor. Rakip firmalardan ise daha çok şarj tutma teknolojisine rastlanıyor. 

    Micon ayrıca, Intel, Phison, SanDisk, SK Hynix gibi firmaların ortaklığında ortaya çıkan Open NAND Flash Interface (ONFi) 4.0 açık kaynak NAND bellek arabirimini kullanıyor. Yeni arabirim, yer yer performansı saniyede 800 milyon transfer seviyesine kadar çıkarıyor. Harcanan güç ise 1.2 volt düzeyinde oluyor. 

    Micron'un 32 katmanlı 3D NAND belleği, yatay NAND bellekler ile aynı enerji seviyesini kullanırken, yüzde 30 daha fazla veri transfer edebiliyor. Böylece, NAND belleğin yerleştirildiği bilgisayarların enerji tüketimi de azalıyor. Ayrıca belleklerin 30 000 programlama-silme döngüsü bulunuyor. 

    Yeni teknoloji sayesinde, 256GB kapasiteli SSD ürünlerinin fiyatı değiştirmeden, şimdiki 128GB SSD ürünlerinin yerini alacağı düşünülüyor. Yine 2TB kapasiteli ürünlerin 1TB kapasiteli ürünleri ile fiyat açısından çok farklı olmayacağı ifade ediliyor. Yani yeni teknoloji her açıdan avantajlı. 

    Firmadan ilk tedarik yapacaklar, Silicon Motion ve PMC Sierra olacak. 3D NAND teknolojisi ile inşa edilen ilk SSD ürünleri ise Computex 2016 fuarında görücüye çıkacak. Piyasaya ilk etapta 3D MLC ürünlerinin çıkacağı belirtiliyor. 3D TLC ürünleri ise daha sonra raflarda olacak. 


    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    Sorgu:
    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim