Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Döşeme Stili Ana Akış
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir indirim kodu
    Anlık Bildirim

    Kioxia 112 katmanlı BiCS Flash'larını duyurdu

    NAND Flash bellek çözümleri üreticisi Kioxia BiCS Flash çözümlerinin 5. neslini duyurdu. Yeni kümeler artan yoğunlukları sayesinde maliyet optimizasyonu sağlayacak.
    Oy Ver

    Geçtiğimiz yıl isim değiştiren Toshiba, şimdiki adıyla Kioxia NAND Flash kümelerinin 5. neslini duyurdu. Yeni BiCS yongalarda bu yıl içerisinde hacimli üretim safhasına geçilecek.

    %40 veri yoğunluğu artışı

    TLC ve QLC tekniğiyle üretime elverişli BiCS 5 Flash’ları 112 katmanıyla 96 katmanlı BiCS 4 kümelerine göre daha fazla katmana sahip. Katman artışına ek olarak yatay eksende de çok katmanlı hafıza deliği teknolojisi sayesinde yoğunluk artışının %40’a ulaştığı yongalar böylelikle üreticilere maliyet kaleminde optimizasyon imkanı sunacak.

    Yoğunluk artışının yanı sıra performans artışı da yolda. I/O performansında BiCS 4’e göre %50’ye varan geliştirme sunacak BiCS 5 NAND Flash’ları bu çeyrek içerisinde 512 gigabit kapasiteli ilk örnekleriyle bazı alanlarda kullanıma geçecek. Hacimli üretim için bu yılın ikinci yarısına işaret eden Kioxia’nın yol haritasına göre TLC tip NAND’lerde 1 terabit, QLC tip birimlerde ise 1.33 terabit seviyesine ulaşılacak.



    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    Sorgu:
    Önceki ve Sonraki İçerikler
    Daha Yeniler Daha Eskiler
    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim