Anlık Bildirim

Samsung 160 katmanlı 3D NAND bellek geliştiriyor

NAND bellek sektörünün lider ismi durumundaki Samsung, aynı zar alanında daha yoğun kapasiteler elde etmesini sağlayacak 160 katmanlı 3D NAND bellek geliştiriyor.

Samsung 160 katmanlı 3D NAND bellek geliştiriyor Tam Boyutta Gör

Depolama belleği sektöründe düzlemsel yapıdan istif yapısına geçiş yapan üreticiler şimdi de katman sayısını sürekli arttırarak aynı alanda daha yoğun kapasite ve enerji verimliliği hedefliyor. Katman sayısı artık 160 sınırında.

Yoğunluklar etkileyici

3D NAND bellek üretiminde 128-katmanlı yapılar yavaş yavaş son kullanıcıya ulaşmaya başladı. Sonrası için ise yoğun çalışmalar devam ediyor. Samsung 160 katmanlı olarak yedinci nesil V-NAND bellek modüllerini geliştirmeye başladı.

Samsung bu yeni modüller için Double Stack adında bir teknolojiden faydalanıyor. Bu teknoloji her akım geçişinde elektron deliklerini iki kez oluşturuyor. Böylece daha verimli enerji kullanımı ortaya çıkıyor. Mevcut NAND ürünlerinde tek elektron deliği oluşuyordu.

160 katmanlı bellek modülünün sonrasında 176 veya 192 şeklinde katman sayısının artacağı ifade ediliyor. Yani 160 katmanlı bellekler yeni serinin ilk ürünleri olacak. Bu ürünlerin 2020 sonlarında piyasada olması bekleniyor.

Katman sayısının arttırılması yanında üreticiler hücre başına bit sayısında da iyileşme yolları arıyor. Hali hazırda hücre başına 4 bit veriden oluşan QLC modüller yaygınlaşmaya başladı. Kioxia ise hücre başına 5 bit yani PLC modülleri geliştirmekle meşgul.

Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim