Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir İndirim Kodu indirim kodu
    Anlık Bildirim

    Samsung beşinci nesil V-NAND bellek üretimine başlıyor

    SSD sektörünün lider ismi Samsung beşinci nesil V-NAND bellek üretimine başladı. Yeni nesil bellekler daha yoğun kapasite ve daha yüksek performanslara imza atıyor.
    Oy Ver

    NAND bellek sektöründe dikey yapı devrimi yaşandıktan sonra üreticiler artık bu yeni teknolojiyi en iyi hale getirme mücadelesine başladı. Daha yoğun kapasite ve daha iyi enerji verimliliği sunan dikey bellek yapısında katman sayısı giderek artıyor.

    Daha yoğun ve daha verimli

    İlk olarak 16 katmanla başlayan NAND bellek istifleme yarışı bugün 96 katmana kadar gelmiş durumda. Aynı zar alanında daha fazla depolama alanı kullanmaya imkân veren istifleme teknolojisi diğer taraftan enerji tüketimini arttırıyor ve üretim sürecinin de büyümesine neden oluyor. Üreticiler her yeni katman gelişiminde bu iki dezavantajı da ortadan kaldıracak çözümler ortaya koyuyor.

    Samsung yaptığı açıklamada beşinci nesil V-NAND bellek üretimine başladığını duyurdu. Yeni bellekler 90 katmanlı 3D akım tutan hücreler (CTF) kullanıyor. Katmanlar piramit şeklinde ve ortasında mikroskopik bir delik olan yapılar içerisinde yer alıyor.

    Bir kaç yüz nanometre genişliğindeki bu delikler kanal vazifesi görüyor ve toplamda 85 milyar CTF hücresi kullanıyor. Her hücre içerisinde üç bitlik veri yer alıyor. Bu sayede üretim verimliliği yüzde 30 artarken hücrelerin yüksekliği de yüzde 20 oranında azaltılıyor.

    Bu yeni yapı performansı da önemli oranda arttırıyor. Yazma sinyallerine verilen tepki 500 mikro saniye ve bu alanda en hızlı değere ulaşmış durumda. Önceki nesle göre yüzde 30 civarında artış var. Okuma tepkisi ise 50 mikro saniye olarak ölçülmüş.

    Yeni belleklerde kullanılan diğer bir teknoloji ise Toggle DDR 4.0 arayüzü. Bu sayede depolama birimi ve RAM arasındaki veri transferi yüzde 40 artıyor ve 1.4Gbps pik seviyelerine çıkıyor. Enerji tüketimi ise 1.8V civarından 1.2V civarına iniyor.

     
    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    Sorgu:

    Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim