Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Döşeme Stili Ana Akış
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir indirim kodu
    Anlık Bildirim

    IBM ve Micron tarafından geliştirilen 3D DRAM bellekler 128Gbps bantgenişliğine imkan tanıyor

    Oy Ver

    Teknolojik cihazların boyutları küçüldükçe donanım parçalarının fabrikasyon mimarisinin de küçülmesi gerekiyor. Donanım mühendisleri yanlara doğru büyüyen parçalar yerine yukarı doğru büyüyen parçalar üreterek hem küçük hem de yüksek performanslı bileşenler elde etmeye uğraşıyor. Intel'in gelecek yıl kullanmaya başlayacağı 3D transistörler buna bir örnek.

    IBM de Eylül ayında 3M firmasıyla biraraya gelerek 300 katmana kadar yarıiletkenleri silikon kulesi şeklinde sıralayabilecek bir yapıştırıcı geliştirmeye başlamıştı.

    Bu hafta yapılan IEEE toplantısında ise Subu Iyer, IBM ve Micron firmaları tarafından üretim devrimi olarak adlandırılan dikey elektriksel bağlantı - TSV kullanan bireysel DRAM çiplerinin tanıtımını yaptı.

    Yeni çipler Hybrid Memory Cubes olarak adlandırılıyor. Bant genişliği ve verimlilikleri şimdiki donanımların çok çok önünde gidiyor. Prototip HBC bellekleri 128Gbps bant genişliği sunuyor. Şimdiki donanımlar ise 2.8Gbps hızlara imkan veriyor. Kapladığı alan standart belleklerin yüzde 10'u kadar. Enerji tüketiminde yüzde 70 daha tasarruflu. 

    Yeni HMC belleklerin üretimi iki aşamada yapılacak. İlk aşamada IBM, ABD'deki fabrikasında 32nm fabrikasyon süreciyle yüksek dielektrik sabitli(high-K) metal kapı teknolojisi kullanarak HMC bellekleri üretecek. Bellekler daha sonra Micron'un Idaho'daki fabrikasında bellek modülleri ve TSV ile birleştirilecek. 

    Iyer toplantıda teknolojilerinin 3D yarıiletken üretiminde geçişte bir dönüm noktası olduğunu ve bir kaç yıl sonra 3D yonga teknolojisinin tüketici ürünlerine kadar gireceğini belirtti. Böylece batarya ömrü ve fonksiyonellik açısından mükemmel gelişmeler yaşanacağını sözlerine ekledi.

    3 boyutlu HMC bellekleri en erken 2013 ikinci yarısından itibaren satışa başlayacak. Intel'in Tri-Gate 3 boyutlu transistör çalışmaları da 2012 ilk yarısında seri üretime başlayacak. Böylece boyut açısından çok daha küçük aygıtlar şu anki cihazlardan kat kat fazla performans gösterebilecek.


    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    Sorgu:
    Önceki ve Sonraki İçerikler
    Daha Yeniler Daha Eskiler
    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim