Anlık Bildirim

Intel 18A tüm detaylarıyla tanıtıldı: FinFET sonrası dönem başlıyor

Intel, 18A üretim süreciyle FinFET sonrası dönemi resmen başlatıyor. RibbonFET ve PowerVia gibi yeniliklerle, performans ve verimlilikte büyük sıçrama yaşanacak. İşte detaylar...

Intel 18A tüm detaylarıyla tanıtıldı: RibbonFET sonunda geliyor Tam Boyutta Gör
Intel, yarı iletken üretiminde yeni bir dönemi başlatan 18A üretim süreci için hazırlıkları tamamladı. 2025 VLSI Sempozyumu kapsamında tüm teknik detayları paylaşılan 18A nodu, Intel 3'e kıyasla yalnızca performans değil, mimari anlamda da ciddi yenilikler içeriyor. Yeni süreç, Panther Lake masaüstü işlemciler ve Clearwater Forest tabanlı Xeon modelleriyle çıkacak.

Intel 18A üretim teknolojisi resmen duyuruldu

Intel'in 18A üretim süreci, FinFET teknolojisinin ötesine geçilmesini sağlayan RibbonFET transistörleri ve arka yüzeyden güç iletimini mümkün kılan PowerVia altyapısıyla donatılmış durumda. Bu iki yenilik sayesinde, 18A üretim nodu hem güç verimliliği hem de performans artışı açısından önemli kazanımlar sağlıyor.

Intel 18A tüm detaylarıyla tanıtıldı: RibbonFET sonunda geliyor Tam Boyutta Gör
Intel'e göre, 1.1V sabit gerilim altında yüzde 25 daha yüksek frekans elde edilebiliyor. Aynı frekansta çalışırken ise yüzde 36 daha düşük güç tüketimi mümkün. Üstelik 0.65V altı düşük voltaj seviyelerinde bu kazanç yüzde 38'e kadar çıkabiliyor.

Daha yüksek frekans, daha düşük güç

Intel 18A’nın sağladığı yoğunluk artışı da dikkat çekici. Önceki nesle kıyasla yüzde 30’un üzerinde bir yoğunluk artışı sunan süreç, hücre yerleşiminde yüzde 10’a varan verimlilik kazanımı sağlıyor. Bu da IR droop gibi güç iletim problemlerinde 10 kat iyileşme anlamına geliyor. Standart hücre alanı, HD kütüphanelerde 160nm’ye, HP kütüphanelerde ise 180nm’ye kadar düşürülmüş durumda. 32nm'lik M0/M2 iz genişlikleri ile tasarım esnekliği de artırılıyor.

Intel 18A tüm detaylarıyla tanıtıldı: RibbonFET sonunda geliyor Tam Boyutta Gör
Bu arada RibbonFET tasarımı, FinFET’e göre daha az parazitik kapasitans ve daha etkili geçit kontrolü sağlıyor. Ayrıca farklı genişlikte şerit seçenekleriyle SRAM hücreleri için optimize edilmiş bitcell tasarımları da mümkün hale geliyor. 
Intel 18A tüm detaylarıyla tanıtıldı: RibbonFET sonunda geliyor Tam Boyutta Gör
Intel’in sunduğu HCC (High Capacity Cell) ve HDC (High Density Cell) SRAM alanları sırasıyla 0.0230 um² ve 0.0210 um² değerlerine ulaşarak, önceki nesil ile kıyaslandığında yüzde 30’luk bir yoğunluk artışı sunuyor.

Son olarak Intel, 18A sürecinin yalnızca bir başlangıç olduğunu vurguluyor. Şirketin yol haritasına göre, 2026-2028 döneminde 18A-P ve 18A-PT adında iki yeni varyant daha piyasaya sürülecek. Bu sürümler, daha fazla müşteri ürünü ve özelleştirilmiş çip üretimi için temel oluşturacak. 

Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin: DH App Gallery Uygulamasını İndir DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Sıcak Fırsatlar Forumunda Tıklananlar

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim