İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
Intel, yarı iletken üretiminde TSMC ile arasındaki mesafeyi kapatmak için agresif bir yol haritası açıkladı. Şirketin yaptığı yeni duyuruya göre, 14A üretim süreci 2027’de risk üretimine girecek; 18A sürecinin yeni performans odaklı türevleri olan 18A-P ve 18A-PT ise sırasıyla 2026 ve 2028 yıllarında sahneye çıkacak. Bu gelişmeler, TSMC'nin 2028'e yönelik A14 üretim planına karşılık Intel'in iddialı bir karşı hamlesi olarak değerlendiriliyor.
Intel büyük oynuyor
Intel'in yeni CEO'su Lip Bu-Tan, şirketin çip üretim birimindeki gelişmeleri aktarmak için Intel Foundry Direct 2025 etkinliğinde sahneye çıktı. Tan, Intel’in bir sonraki nesil 14A (1.4nm eşdeğeri) sürecini öncü müşterilerle birlikte geliştirmeye başladıklarını duyurdu. Halihazırda birkaç müşteri, bu yeni süreç için test çiplerini “tape-out” aşamasına taşımış durumda. 14A sürecinde, Intel’in güç iletimini arka taraftan gerçekleştiren teknolojisinin gelişmiş bir versiyonu olan PowerDirect de yer alacak.
Daha da önemlisi, Intel şimdi de 18A mimarisinin yeni bir uzantısı olan 18A-PT varyantını geliştiriyor. Bu varyant, şirketin dikey yonga yığma teknolojisi olan Foveros Direct 3D’yi destekliyor ve hibrit bağlantılarla birlikte geliyor. Bu sayede, Intel artık çipleri birbirinin üstüne yerleştirebilecek.
Foveros Direct 3D teknolojisi, Intel’in rekabet gücünü doğrudan artıran bir hamle olacak. Zira bu teknoloji, rakip TSMC'nin halihazırda AMD’nin 3D V-Cache ürünlerinde kullandığı yönteme denk bir bağlantı yoğunluğu sunacak.
Intel 14A ile High-NA EUV devreye giriyor
Intel, öncü müşterilerine 14A için tasarım kitlerinin (PDK) erken sürümlerini çoktan iletti. Bu kit, yeni nesil işlemcilerin tasarlanması ve doğrulanmasında kritik rol oynayan veri setleri, tasarım kuralları ve belgeleri içeriyor. Şirketin açıklamasına göre, şimdiden birçok müşteri 14A süreci üzerinde çip üretimi yapma niyetini bildirdi.
TSMC halihazırda N2 süreci için bir arka tarafa güç dağıtım çözümü kullanmıyor. Super Power Rail (SPR) adının verildiği bu yöndeki bir çözüm 2026 sonunda üretime girecek A16 olarak adlandırılan 1.6nm sınıfı süreçte kullanılacak. İlginç bir şekilde TSMC A14 sürecinin de yine arka taraf güç dağıtım mimarisini kullanmayacağı belirtiliyor.
Bu arada Intel, bu yeni süreçle yüzde 15–20 oranında performans artışı ve yüzde 25–35 oranında enerji tasarrufu sağlanacağını belirtiyor.
Intel 18A-PT: Foveros Direct 3D ile yeni dönem
Intel’in 18A süreci, tek bir versiyonla sınırlı kalmayacak. Intel, farklı kullanım senaryolarına özel geliştirdiği çeşitli 18A varyantlarıyla bu süreci daha esnek ve ölçeklenebilir bir aile hale getiriyor. Bu varyantlar, sürecin sonuna eklenen farklı takılarla tanımlanıyor ve belirli performans ya da tasarım gereksinimlerini karşılamak için optimize ediliyor.
Rakip AMD ise TSMC’nin SoIC-X hibrit bağlama teknolojisini kullanarak L3 çipletlerini X3D işlemcilerinde üst üste yerleştiriyor. Bu teknolojinin bağlantı aralığı şu anda 4.5 ila 9 mikron arasında değişiyor. TSMC, 2027 yılı itibarıyla bu aralığı 3 mikrona kadar indirmeyi planlıyor.
Intel’in yeni nesil sunucu platformlarından Clearwater Forest, Foveros Direct 3D paketleme teknolojisini kullanan ilk ürün olacak. Bu üründe kullanılan temel yonga Intel’in Intel 3-T süreciyle üretilirken, üzerine yığılan hesaplama yongaları Intel 18A süreciyle gelecek. Genellikle TSV’ler yalnızca temel yongaya entegre edilir; ancak Intel’in bu yapısıyla artık 18A üzerine de başka yongalar (örneğin SRAM önbellek) dikey olarak yerleştirilebilecek. Bu, yalnızca fiziksel alan tasarrufu değil, aynı zamanda bant genişliği ve gecikme konularında da ciddi kazanımlar anlamına geliyor. Intel’in bu süreç teknolojisi ile yalnızca üretim değil, aynı zamanda gelişmiş paketleme alanında da TSMC’ye meydan okumaya hazırlandığı açık.
Intel 18A artık son dönemeçte
İlk 18A üretimi Intel’in Oregon’daki tesislerinden çıkacak. Ancak şirket, Arizona’daki tesislerinde de bu süreci test ettiğini ve 18A wafer’larının (yonga plakaları) başarıyla üretim hattından geçtiğini doğruladı. Intel18A, sektörde PowerVia arka taraf güç iletim ağı (BSPDN) ile birlikte RibbonFET gate-all-around (GAA) transistör mimarisini ticarileştiren ilk süreç olma özelliğini taşıyor.
TSMC’nin 2nm sınıfındaki rakip süreci N2, benzer bir zaman aralığında yüksek hacimli üretime geçecek. N2 süreci, Intel’in RibbonFET’ine benzer şekilde GAA transistörleri içeriyor; ancak PowerVia benzeri bir çözüm barıdnırmıyor. Sektördeki son teknik sunumlara göre, Intel’in 18A süreci genellikle daha hızlı ve daha düşük güç tüketimli olarak tanımlanıyor. Öte yandan, yoğunluk (transistör başına düşen alan) ve muhtemelen maliyet konusunda TSMC’nin hala önde olduğu belirtiliyor.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
