İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
Bellek sektörü ilk NAND teknolojisini kullanıma sunduktan sonra istifleme yöntemi ile modülleri düzenleyerek daha verimli depolama çözümleri geliştirmeye başladı. 3D NAND veya V-NAND gibi farklı pazarlama başlıkları altında gördüğümüz istif NAND belleklerde katmanlar giderek artıyor.
İlk 176 katmanlı NAND bellek
Üreticiler aynı zar alanı üzerinde NAND bellek katmanlarını istifleyerek hem alandan tasarruf ediyor hem de enerji verimliliği sağlıyor. Aynı zar alanında daha yoğun kapasite veya aynı kapasitede daha küçük zar alanları mümkün oluyor.
NAND belleklerde katman yarışı da son dönemde iyice hızlandı. Micron bu hafta yaptığı açıklamada sektörün ilk 176 katmanlı NAND bellek modülünü geliştirdiğini duyurdu. Yeni bellek en yakın rakibinden yüzde 40 daha fazla.
Yeni bellekler Micron’un beşinci nesil 3D NAND çalışmalarında yer alıyor. İkinci nesil akım geçişi mimarisini temel alan TLC bellek modülleri 96 katmanlı modüllere göre gecikmeleri yüzde 35 azaltıyor, yüzde 30 daha küçük zar alanı kaplıyor ve veri aktarım oranlarını 1600MT/s seviyesine çıkarıyor.
Gelişen hizmet kalitesi sayesinde yapay zeka işlemleri, büyük veri analizleri, 5G telefonlarda akıcı uygulama geçişleri ve çoklu uygulama yönetimleri mümkün olacak.
176 katmanlı NAND bellekler Micron’un Singapur’daki fabrikasında üretiliyor. Kendi markası Crucial başta olmak üzere pek çok marka 176 katmanlı NAND belleklerini gelecek yıl itibariyle piyasaya sürecek.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
