Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir indirim kodu
    Anlık Bildirim

    Samsung 10nm sürecine geçiş yapıyor

    Oy Ver
    Günümüzde yongaseti tasarımcılarının fabrikasyon süreçlerini geliştirme konusunda kıyasıya bir yarış devam ediyor. Bu yıl mobil tarafta Samsung, masaüstü tarafta ise Intel 14nm litografisi ile ilk ürünlerini piyasaya sürmüştü. Ancak 10nm sürecine ilk geçiş yapan Samsung oldu.

    Samsung Döküm bölümü yöneticilerinden Kelvin Low, resmi olarak üretim planları içerisine 10nm FinFET sürecini dahil ettiklerini açıkladı. Geçtiğimiz haftalarda ilk 10nm plakalarını ortaklarına sergileyen Samsung, yıl sonunda resmi üretime başlamayı planlıyor. Intel, 10nm yongaseti üretim süreci planlarını 2017 yılına ertelediği için Samsung öne geçmiş oldu.

    Samsung flash bellek tarafında 10nm süreci konusunda tecrübeliydi ve tecrübesini mobil yongaseti tarafına da başarıyla aktardı. Böylece bu yıl 14nm/16nm sürecine geçme hazırlığı yapan TSMC ile de aradaki farkı açma şansı elde etti. 

    Belirli bir silikon alanı üzerindeki transistör sayısının iki yılda bir ikiye katlanacağını öngören Moore yasasının devam etmesi için yıllardır tasarımcılar önemli atılımlar yapıyor. Belirli bir alana daha fazla transistör yerleştirmek daha fazla işlem gücü ve daha fazla enerji gerektirdiği için haliyle daha fazla ısınma ortaya çıkıyor ve birbirine yaklaşan transistörler arasındaki sızıntılar da artıyor. 

    Geliştirilen yeni teknolojiler ile bugüne kadar çeşitli optimizasyonlar sağlandı ve bir dönem 6800 olan transistör sayısı günümüz işlemcilerinde 3 milyar sınırına dayandı. Samsung ise FinFET teknolojisi kullanarak 3 boyutlu yapılar ve yüzgeç şeklinde kapılar ile sızıntıların önüne geçiyor ve düşük voltajlar elde ederek daha iyi performans gösterebiliyor. 

    10nm FinFET teknolojisi ile birlikte mobil yongasetlerinde daha küçük bir zar alanı olmasına rağmen, daha fazla güç, daha az enerji tüketimi ve daha az ısınma değerlerine şahit olacağız. Bu da sistem geneline olumlu olarak yansıyacak. Ayrıca pek çok yongaseti tasarımcısı döküm anlaşmaları için Samsung'un kapısını çalmaya başlayacak. 

    10nm sürecinin yakın dönemde herhangi bir Samsung cihazında kullanılması beklenmiyor. Ancak gelecek yıl ki Galaxy S7 modelinde özelleştirilmiş Exynos M1 yongaseti ile geleceği iddialarını düşündüğümüzde 10nm süreci bu yongasetine uygulanabilir. Bu da mobil pazarda büyük ses getiren bir hamle olacaktır. 


    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    Sorgu:
    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim