Son Aramalarınız TEMİZLE
    Genel Hızlı Tercihler Sıfırla
    Header'ı Tuttur
    Header'da Teknoloji Gündemi
    Anasayfa
    Büyük Slayt ve Popüler Haberler
    Kaydırarak Daha Fazla İçerik Yükle
    İçerikleri Yeni Sekmede Aç
    Detay Sayfaları
    Kaydırarak Sonraki Habere Geçiş
    Renk Seçenekleri
    Gece Modu (Koyu Tema)
    Sadece Videolar için Gece Modu
    Haber Gir indirim kodu
    Anlık Bildirim

    Samsung endüstrinin ilk 3D NAND flash belleklerinin üretimine başlıyor

    Oy Ver

    3 boyutlu yonga kavramını ilk kez Intel'in Ivy Bridge işlemcileri ile birlikte sunduğu Tri-Gate transistörleri ile duymuştuk. Transistörlerin yanyana değil üstüste eklenmesiyle elde edilen 3D yongalar böylece daha az yer kaplayıp daha az enerji harcamaktaydı. Samsung aynı konsepti endüstride ilk kez flash bellek alanına taşıyor.

    NAND flash bellek segmentinde lider olan Samsung, 3D V-NAND adını verdiği dikey yığınlanmış NAND flash bellekleri ile hem performans anlamında kazanım yaşıyor hem de kapladığı yerden tasarruf sağlıyor. Bellekler 10nm fabrikasyon sürecine göre üretiliyor.

    Samsung'un yeni V-NAND bellekleri tek bir yongada 128Gb yoğunluk sunabiliyor. 16GB kapasitesine denk gelen bu yonga içerisindeki hücre dizileri üst üste istiflendiğinde 1TB kapasiteye kadar değişen depolama alanları sunabiliyor. Samsung kesin olarak ne kadar kapasite sunabileceği veya yaygın olarak hangi kapasitelere yer vereceği konularını biraz karanlıkta bırakmış.

    Hücre dizileri istiflendiğinde etkileşimi önlemek için Samsung elektrik şoklamasına dayanan 3D CTF metodunu kullanıyor. Standart NAND belleklerde kullanılan kayar kapı transitörü teknolojisine göre bu metot 2-10 kat daha fazla ömür ve 10 kata kadar yazma performansı artışı sağlıyor. 

    Hücreler arası bağlantıyı ise dikey bağlantı süreci teknolojisi ile sağlayan Samsung, böylece 24 hücre dizilimi yapabiliyor. Özel birleştirme teknolojisi en üstten en alta kadar hücreler arasında boşluk bırakmıyor ve daha yoğun NAND flash bellek ürünleri elde edilebiliyor.

    Samsung 10 yıldır 3D bellek yongaları üzerinde çalışıyor ve bu alanda 300'den fazla patentin de sahibi durumunda. 

    Uzmanlar bu sayede ilerleyen yıllarda 128GB kapasiteli mobil cihazlar veya 2TB kapasiteli NAND flash bellek taşıyan SSD ürünlerinin mümkün olabileceğini tahmin ediyor. Samsung, SSD birimlerine yönelik olarak V-NAND bellek yongası üretimine yıl sonunda başlarken, mobil cihazlara yönelik olarak V-NAND bellek üretimine ise gelecek yıl ortalarında başlayacak. 


    Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
    istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
    DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
    ANLIK GÖRÜNTÜLEMELER
    1 Kişi Okuyor (0 Üye, 1 Misafir) 1 Masaüstü

    GENEL İSTATİSTİKLER
    1016 kez okundu.
    14 kişi, toplam 14 yorum yazdı.

    HABERİN ETİKETLERİ
    Samsung
    Sorgu:
    Yeni Haber
    şimdi
    Geri Bildirim