İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
%23 performans artışı
Samsung’un yeni 12nm DDR5 DRAM yongaları, daha fazla güç tasarrufu sağlıyor ve önceki nesil DRAM yongalarından %23 daha yüksek performans sunuyor. Şirketin açıklamasına göre bu geliştirme, hücre kapasitansını artıran yüksek k materyali ve kritik devre özelliklerini iyileştiren tescilli tasarım teknolojisinin kullanılmasıyla sağlanmış. Gelişmiş, çok katmanlı, aşırı ultraviyole litografi ile birleştirilen yeni DRAM, yonga plakası verimliliğinde %20’lik bir artışla sektörün en yüksek kalıp yoğunluğuna sahip.
7.2Gbps veri aktarım hızı
En yeni DDR5 standardından faydalanan Samsung’un 12nm sınıf DRAM’i saniyede 7.2Gbps veri aktarım hızına sahip. Bu da Samsung’a göre 30GB boyutunda 4K UHD kalitede iki filmin bir saniyede işlenmesi anlamına geliyor.
2023'ün başlarında seri üretime geçilecek
Samsung, 12nm üretim sürecinden geçen yeni DDR RAM’lerinin olağanüstü performans ve güç verimliliği ile yeni nesil bilgi işlem, veri merkezleri ve yapay zekayla çalışan sistemler gibi alanlarda daha sürdürülebilir işler için temel oluşturacağını düşünüyor. Şirket, yeni DDR5 DRAM yongalarının seri üretimine 2023’ün başlarında başlayacak.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
Arabamız yerli ve milli