Samsung vs SK hynix: Yeni nesil DRAM yarışı

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

Samsung vs SK hynix: Yeni nesil DRAM yarışı — Yapay zeka veri merkezlerine yönelik yatırımların hız kazanmasıyla birlikte bellek sektöründe yaşanan talep patlaması, üreticileri yeni nesil DRAM teknolojileri geliştirmeye zorluyor. Özellikle **HBM, DRAM ve diğer** gelişmiş bellek çözümlerine yönelik artan ihtiyaç, aynı üretim materyallerine bağımlı olan tedarik zincirinde baskıyı artırırken sektörün önde gelen iki şirketi **Samsung ve SK hynix**’in farklı üretim stratejileri üzerinde çalıştığı belirtiliyor.

Sektör kaynaklarına göre Samsung, yeni nesil DRAM üretiminde bugüne kadar daha çok işlemci tarafında kullanılan Gate-All-Around FET (GAAFET) teknolojisini değerlendirmeye başladı. SK hynix ise bunun yerine dikey istifleme temelli farklı bir mimari üzerinde yoğunlaşıyor.

Samsung, NAND tekniklerini DRAM’e taşıyor

Bellek çiplerinde kullanılan üretim süreçleri, işlemcilerdeki nanometre tabanlı adlandırma sisteminden farklı bir yapıya sahip. DRAM ve diğer bellek ürünlerinde üretim süreçleri genellikle “1c” gibi harf tabanlı kodlarla ifade ediliyor ve bu kodlar çoğunlukla 10 nanometre ve altındaki üretim teknolojilerini temsil ediyor.

DRAM üretimini işlemcilerden ayıran en önemli unsur ise veri depolama için kullanılan kapasitör yapısı. Her DRAM hücresinde bir transistör ve bir kapasitör birlikte çalışıyor. Üretim süreçleri küçüldükçe, kapasitörün işlevini sürdürebilecek fiziksel boyutları korumak giderek zorlaşıyor. Bu nedenle üreticiler, daha yüksek yoğunluk sağlayabilmek adına yeni mimari çözümler arıyor.

Ancak DRAM tasarımı yalnızca transistörlerden oluşmadığı için Samsung’un karşısında ek mühendislik sorunları bulunuyor. Şirketin, GAAFET transistörünü kapasitör yapısıyla aynı DRAM hücresine entegre etmesi gerekiyor. Kaynaklara göre Samsung’un değerlendirdiği çözümlerden biri, NAND flaş belleklerde kullanılan yönteme benzer şekilde okuma ve yazma işlemlerini yöneten devreleri bellek dizisinin altına yerleştirmek. Böylece daha kompakt bir yapı elde edilmesi ve üretim yoğunluğunun artırılması hedefleniyor.

SK hynix, dikey istifleme modeline yöneliyor

Samsung’dan farklı olarak SK hynix ise 4F² tabanlı dikey istifleme yaklaşımı üzerinde çalışıyor. Bu yöntemde transistörler yatay yerine dikey olarak konumlandırılıyor ve kapı malzemesi transistör yapısını çevreliyor. Mimari açıdan bu yaklaşımın da GAAFET’e benzer yönleri bulunuyor.

SK hynix’in tasarımında, kapasitörden gelen veriyi alan bileşenlerin transistör sütununun altında yer aldığı ifade ediliyor. Bu yöntem sayesinde daha yüksek yoğunluklu DRAM üretiminin mümkün olabileceği değerlendiriliyor. Özellikle yapay zeka sunucularının giderek daha fazla bellek kapasitesi ve bant genişliği talep etmesi, bu tarz gelişmiş üretim tekniklerini sektör için kritik hale getiriyor.

Sektör kaynakları, Samsung ve SK hynix’in yalnızca yeni nesil DRAM geliştirmekle kalmayıp, aynı zamanda kendi teknolojik yaklaşımını sektör standardı haline getirmek için yarıştığını belirtiyor. Başarılı olacak üretim mimarisinin, önümüzdeki yıllarda yüksek bant genişlikli bellek ve yapay zeka odaklı veri merkezi çözümlerinde belirleyici rol oynayabileceği düşünülüyor.