İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
HBM4 verimliliği hızla yükseldi
Samsung, HBM4’ün seri üretimine Şubat 2026’da başladı. Üretimin ilk döneminde yüzde 60’ın altında kalan verimlilik, optimize edilen üretim süreçleri sayesinde yaklaşık altı ay içinde yüzde 80 seviyesine yaklaştı. Böylece şirket, yıl sonu için belirlediği hedefe planlanandan çok daha erken ulaştı.
Samsung’un HBM4 çözümü 1c sınıfı 10 nm DRAM ve 4 nm mantık üretim süreçlerini kullanıyor. Bellek, 11,7-13,0 Gbps pin hızlarına ve yığın başına 3,3 TB/s’ye kadar bant genişliğine ulaşıyor. 2.048 pinli arayüze sahip ürünler 12-Hi yapıda 24 ve 36 GB, 16-Hi yapıda ise 48 GB kapasite sunuyor.
Şirket ayrıca HBM3E’ye kıyasla yüzde 40 daha yüksek güç verimliliği, yüzde 10 daha iyi termal direnç ve yüzde 30 daha iyi ısı dağıtımı sağlıyor.
HBM4 gelir beklentisi üç kat arttı
Üretimdeki hızlı iyileşme Samsung’un ticari hedeflerine de yansıyor. Şirket, 2026’nın üçüncü çeyreğinde HBM4 DRAM gelir beklentisini üç kat artırırken yılın ikinci yarısında HBM4’ün toplam HBM ürünleri içindeki payını yüzde 60’ın üzerine çıkarmayı hedefliyor.
Samsung aynı zamanda HBM4E çalışmalarını da sürdürüyor. Yeni nesil belleğin güvenilirlik testlerindeki verimlilik oranının yüzde 70’e ulaştığı belirtiliyor. Daha önce tanıtılan HBM4E, yığın başına 48 GB kapasite ve 4 TB/s’ye kadar bant genişliği sunuyor.
Samsung’un HBM4 tarafındaki ilerlemesini destekleyen en önemli gelişmelerden biri AMD ile yapılan iş birliği. AMD, Instinct MI400 platformunda Samsung’un HBM4 belleklerini kullanıyor. Samsung ise HBM4E ile birlikte Nvidia’yı da müşteri portföyüne dahil etmeyi hedefliyor. Şirketin hedefinde Nvidia Rubin Ultra ve AMD’nin gelecek nesil MI500 serisi bulunuyor.
Bu haberi ve diğer DH içeriklerini, gelişmiş mobil uygulamamızı kullanarak görüntüleyin:
