
Transistör teknolojisi, son yıllarda MOSFET’lerden (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) FINFET’lere (Fin Field-Effect Transistor) ve en sonunda GAAFET’lere evrilmiş durumda. GAAFET transistörler, özellikle 3nm ve altı üretim süreçlerinde vazgeçilmez bir rol oynuyor. Geleneksel transistörlerde kapı (gate) yapısı sadece belirli yüzeylerle temas ederken, GAAFET teknolojisi kapıyı tüm yönlerden sararak daha iyi bir kontrol sağlıyor. Aşağıdaki görselde ayrıca Samsung'un GAAFET temelli kendi MBCFET çözümü de yer alıyor.
Çin’den 2D GAAFET atılımı

Araştırmacılar, yaptıkları buluştan “şimdiye kadarki en hızlı ve en verimli transistör” olarak bahsediyor. Hatta araştırma ekibi, yeni transistörü Intel, TSMC, Samsung ve diğerlerinin ürünlerine karşı test ettiklerini ve eşleşen çalışma koşullarında onlardan daha iyi performans gösterdiğini iddia ediyor.
Çin'in çip yarışı
Bu yeni transistör teknolojisi, yalnızca bilimsel bir gelişme değil; aynı zamanda küresel çip savaşlarında Çin’in konumunu güçlendirmeye yönelik bir hamle olarak da görülüyor. Bilindiği üzere ABD ile Çin arasındaki ticaret savaşları, Pekin’in en gelişmiş çip üretim ekipmanlarına erişimini kısıtladı.
Özellikle aşırı ultraviyole (EUV) litografi sistemlerine getirilen ambargolar, Çin’in geleneksel üretim yöntemleriyle rekabet etmesini zorlaştırıyor. Hatta ABD, GAAFET teknolojisine yönelik potansiyel bir yasak da dahil olmak üzere Çin'in teknoloji erişimine yönelik ticari ambargo ve kısıtlamalarını daha da artırmayı planlıyor. Öte yandan Çin, hem güncel teknolojileri yakalamaya çalışıyor hem de yeni nesil çip üretimine doğrudan sıçramayı hedefliyor.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:

